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【極智報(bào)告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長(zhǎng)用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無(wú)線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無(wú)線系統(tǒng)，比如無(wú)線充電、能量收割、無(wú)處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來(lái)完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開(kāi)發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確

中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

河北半導(dǎo)體研究所高級(jí)工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報(bào)告。

【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

OMMIC公司董事長(zhǎng)、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長(zhǎng)王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報(bào)告，報(bào)告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來(lái)綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達(dá)35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來(lái)演示這些工藝的性能

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Helge WEMAN帶來(lái)以石墨烯為基底和透明電極的AlG

有研稀土新材料股份有限公司馬小樂(lè)博士分享了全光譜LED照明用熒光粉現(xiàn)狀及趨勢(shì)。

深圳大道半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)李剛帶來(lái)了薄膜倒裝芯片及其芯片級(jí)封裝與應(yīng)用的報(bào)告，分享了一系列制備薄膜倒裝芯片的關(guān)

廈門(mén)大學(xué)副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子點(diǎn)降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子點(diǎn)（平均直徑3nm），通過(guò)研究

顯示技術(shù)的發(fā)展多種路線，倒裝芯片廣東德豪潤(rùn)達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部研發(fā)部部長(zhǎng)劉宇軒倒裝芯片應(yīng)用于新世代液晶顯示器

GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來(lái)了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字

黃光的突破拉開(kāi)了沒(méi)有熒光粉LED照明技術(shù)的序幕產(chǎn)業(yè)的序幕，無(wú)熒光粉固態(tài)照明技術(shù)為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)注入新的活力，有望在智能照明

【極智報(bào)告】西安交通大學(xué)張盛楠：Preparation of carbon dots by microwave synthesis for white LED devices

薄膜倒裝芯片（TFFC）在結(jié)構(gòu)上完全有別于正裝芯片、倒裝芯片和垂直芯片，它既沒(méi)有正裝芯片和倒裝芯片所帶有的藍(lán)寶石襯底，也沒(méi)有

華中科技大學(xué)博士謝斌，做了題為量子點(diǎn)LED封裝與熱管理的報(bào)告，從封裝層面提出量子點(diǎn)白光LED的熱管理方案，從而在保證光學(xué)性能的

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)高壓能量系統(tǒng)的性能部門(mén)教授Rob ROSS做了關(guān)于基于浴盆曲線類型和相似性的半導(dǎo)體批量性能的報(bào)告，帶來(lái)了其在

美國(guó)Xilinx Inc.杰出工程師、紐約州立大學(xué)賓漢姆頓分?？妥淌贕amal REFAI-AHMED帶來(lái)了關(guān)于通過(guò)實(shí)用性熱創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能的報(bào)告