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  • 吳挺竹：利用ALD技術(shù)
    《利用ALD技術(shù)改善mini-LED的光電與通信性能》作者：盧霆威，賴壽強(qiáng)，潘建華，陳金蘭，黃岳，葉方順，郭浩中，陳忠，吳挺竹 單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)系，臺灣陽明交通大學(xué)光電工程學(xué)系
    8000
    limit2022-01-10 10:28
  • 田朋飛：基于Micro-LE
    《基于Micro-LED陣列的水下雙工可見光通信及水下充電系統(tǒng)》作者：林潤澤，崔旭高，田朋飛單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院
    24300
    limit2022-01-10 10:26
  • 陳景文：高性能深紫外
    《高性能深紫外UVC-LED研發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化》作者：陳景文，吳峰，戴江南，陳長清單位：武漢光電國家研究中心，華中科技大學(xué)，湖北深紫科技有限公司
    18000
    limit2022-01-10 10:23
  • 郭煒：III族氮化物極
    《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強(qiáng)，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門大學(xué)
    19400
    limit2022-01-10 10:22
  • 朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
    《寬禁帶半導(dǎo)體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學(xué)
    9100
    limit2022-01-10 10:21
  • 陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
    《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
    3800
    limit2022-01-07 15:02
  • Jiaying Shen: Band o
    Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
    16300
    limit2022-01-07 15:01
  • 張文輝：升華法生長β
    《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
    10900
    limit2022-01-07 15:00
  • 陳凱：基于MPCVD法異
    《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
    21800
    limit2022-01-07 14:59
  • 穆文祥：氧化鎵單晶生
    《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室
    7800
    limit2022-01-07 14:58
  • 湯瀟：全溶液法沉積柔
    《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
    18300
    limit2022-01-07 14:57
  • 張逸韻：高溫氣氛退火
    《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    8300
    limit2022-01-07 14:21
  • 朱志甫：10BN中子探測
    《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
    9800
    limit2022-01-07 14:20
  • Jiaxiang Chen: Elect
    Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
    16000
    limit2022-01-07 14:19
  • 張輝：氧化鎵晶體的生
    《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
    24500
    limit2022-01-07 14:18
  • 唐寧：氮化鎵量子阱中
    《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張云帆，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗室
    17400
    limit2022-01-07 14:16
  • 徐童齡：基于NiO/β-
    《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗室
    6600
    limit2022-01-07 13:50
  • 張亞民：基于脈沖信號
    《基于脈沖信號導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
    8200
    limit2022-01-07 13:49
  • 劉紅輝：光照下AlGaN/
    《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
    17000
    limit2022-01-07 13:47
  • 劉少煜：一種通過提高
    《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
    33400
    limit2022-01-07 13:35
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