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  • 吳挺竹:利用ALD技術(shù)
    《利用ALD技術(shù)改善mini-LED的光電與通信性能》作者:盧霆威,賴壽強(qiáng),潘建華,陳金蘭,黃岳,葉方順,郭浩中,陳忠,吳挺竹 單位:廈門大學(xué)電子科學(xué)系,臺灣陽明交通大學(xué)光電工程學(xué)系
    8000
    limit2022-01-10 10:28
  • 田朋飛:基于Micro-LE
    《基于Micro-LED陣列的水下雙工可見光通信及水下充電系統(tǒng)》作者:林潤澤,崔旭高,田朋飛單位:復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院
    24300
    limit2022-01-10 10:26
  • 陳景文:高性能深紫外
    《高性能深紫外UVC-LED研發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化》作者:陳景文,吳峰,戴江南,陳長清單位:武漢光電國家研究中心,華中科技大學(xué),湖北深紫科技有限公司
    18000
    limit2022-01-10 10:23
  • 郭煒:III族氮化物極
    《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者:郭煒,陳荔,徐厚強(qiáng),戴貽鈞,林偉,康俊勇, 葉繼春單位:中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,廈門大學(xué)
    19400
    limit2022-01-10 10:22
  • 朱海:寬禁帶半導(dǎo)體微
    《寬禁帶半導(dǎo)體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者:朱海,陳智陽,鄭湖穎,湯梓熒,王亞琪單位:中山大學(xué)
    9100
    limit2022-01-10 10:21
  • 陸文強(qiáng):一維ZnGa2O4
    《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者:吳雨桐,張昆,馮雙龍,陸文強(qiáng)單位:中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
    3800
    limit2022-01-07 15:02
  • Jiaying Shen: Band o
    Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
    16300
    limit2022-01-07 15:01
  • 張文輝:升華法生長β
    《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者:張文輝,張赫之,梁紅偉單位:大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
    10900
    limit2022-01-07 15:00
  • 陳凱:基于MPCVD法異
    《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者:陳凱,胡文曉,葉煜聰,劉斌,陶濤,張榮單位:江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗室,南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院,廈門大學(xué)
    21800
    limit2022-01-07 14:59
  • 穆文祥:氧化鎵單晶生
    《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者:賈志泰,穆文祥,陶緒堂單位:山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室
    7800
    limit2022-01-07 14:58
  • 湯瀟:全溶液法沉積柔
    《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者:湯瀟,李曉航單位:Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
    18300
    limit2022-01-07 14:57
  • 張逸韻:高溫氣氛退火
    《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者:武松浩,張逸韻單位:北京理工大學(xué),中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    8300
    limit2022-01-07 14:21
  • 朱志甫:10BN中子探測
    《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者:朱志甫,王少堂,鄒繼軍,甘勇,湯彬單位:鄭州工程技術(shù)學(xué)院,東華理工大學(xué)
    9800
    limit2022-01-07 14:20
  • Jiaxiang Chen: Elect
    Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
    16000
    limit2022-01-07 14:19
  • 張輝:氧化鎵晶體的生
    《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者:張輝,夏寧,劉瑩瑩,李成,楊德仁單位:浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室,浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
    24500
    limit2022-01-07 14:18
  • 唐寧:氮化鎵量子阱中
    《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者:張仕雄,唐寧,劉星辰,張曉玥,付雷,張云帆,樊騰,孫真昊,葛惟昆,沈波單位:北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗室
    17400
    limit2022-01-07 14:16
  • 徐童齡:基于NiO/β-
    《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者:徐童齡,羅浩勛,鄧郁馨,陳梓敏,裴艷麗,盧星,王鋼單位:中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗室
    6600
    limit2022-01-07 13:50
  • 張亞民:基于脈沖信號
    《基于脈沖信號導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究》作者:姜山,張亞民,馮士維,石幫兵單位:北京工業(yè)大學(xué)
    8200
    limit2022-01-07 13:49
  • 劉紅輝:光照下AlGaN/
    《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過程研究》柳月波,劉紅輝,邢潔瑩,姚婉青,戴雅瓊,楊隆坤,王風(fēng)格,任遠(yuǎn),沈俊宇,張敏杰,作者:吳志盛,劉揚(yáng),張佰君單位:中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
    17000
    limit2022-01-07 13:47
  • 劉少煜:一種通過提高
    《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者:劉少煜,程新紅,鄭理,劉曉博,俞躍輝單位:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
    33400
    limit2022-01-07 13:35
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