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基于結(jié)終端擴展的kV級硅基GaN準垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進，文正，解冰，郝一龍，楊學林，沈波北京大學

硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學技術(shù)大學納米技術(shù)與納米仿生學院

北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)了高性能的增強型GaN MOSHEMT。