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  • 北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
    超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
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    guansheng2023-05-19 14:21
  • 南京郵電大學(xué)教授嚴(yán)嘉
    氮化鎵光電子融合集成及應(yīng)用Monolithic III-nitride multicomponent system and its applications嚴(yán)嘉彬南京郵電大學(xué)教授WANG Yongjin Professor of Nanjing University of Posts and Telecommunications
    87100
    guansheng2023-05-19 13:52
  • 松山湖東莞中民研究院
    內(nèi)置PL顏色轉(zhuǎn)換器的高效率氮化綠色LEDHigh Efficiency Nitride Green LEDs with Built-in PL Color Converter閆春輝松山湖東莞中民研究院常務(wù)副院長（杜嚴(yán)浩代講）Chris YANExecutive Vice-President ofInstitute of General Applied Technologies
    54900
    guansheng2023-05-19 13:50
  • 鎵敏光電董事長、南京
    氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用陸海鎵敏光電董事長、南京大學(xué)教授LU HaiProfessor of Nanjing University
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    guansheng2023-05-19 12:02
  • 上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院
    基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術(shù)王浩宇上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
    113000
    guansheng2023-05-19 09:09
  • 臺達(dá)電子董慨：碳化硅
    碳化硅及氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心AC-DC電源上的應(yīng)用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達(dá)電子高階客制電源事業(yè)部中國區(qū)總監(jiān)Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
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    guansheng2023-05-19 09:03
  • 正通遠(yuǎn)恒總經(jīng)理劉兵武
    定量陰極發(fā)光CL技術(shù)在氮化物半導(dǎo)體中的應(yīng)用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors劉兵武北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd
    112400
    guansheng2023-05-19 08:55
  • 武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究
    無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術(shù)Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53
  • 南京大學(xué)教授修向前：
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術(shù)The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學(xué)教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
    81800
    guansheng2023-05-18 16:18
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究
    當(dāng)前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風(fēng)險對人口流動和經(jīng)濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風(fēng)險的重要性不言而喻?；诘谌雽?dǎo)體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)
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    guansheng2022-09-10 15:45
  • 廈門大學(xué)張榮 教授:氮
    第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團隊在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細(xì)分享了團隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究
    202700
    guansheng2022-09-10 15:43
  • 中國科學(xué)院蘇州納米技
    常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生
    126300
    guansheng2022-09-09 15:53
  • 北京大學(xué)沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細(xì)分
    180800
    guansheng2022-09-09 15:47
  • 圓桌對話：碳化硅、氮
    主題對話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
    124400
    guansheng2022-09-08 15:57
  • 西安電子科技大學(xué)張進
    勢壘可調(diào)、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學(xué)
    64600
    guansheng2022-09-01 12:20
  • 深圳大學(xué)范澤龍:基于
    基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學(xué)
    55100
    guansheng2022-09-01 12:17
  • 北京大學(xué)陳兆營：面向
    面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學(xué)
    88200
    guansheng2022-09-01 11:23
  • 廈門大學(xué)張榮教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個科學(xué)問題張榮--廈門大學(xué)校長、教授
    99200
    limit2022-01-31 13:44
  • 徐科：氮化鎵單晶材料
    《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科 研究員 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
    36500
    limit2022-01-11 09:59
  • 蔣科：寬禁帶氮化物半
    《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所
    11100
    limit2022-01-10 11:08
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