徐現(xiàn)剛:碳化硅單晶襯
5330
徐科:氮化鎵單晶材料
3650
蔣科:寬禁帶氮化物半
1120
朱海:寬禁帶半導(dǎo)體微
910
陸文強(qiáng):一維ZnGa2O4
390
張文輝:升華法生長(zhǎng)β
1090
陳凱:基于MPCVD法異
2180
穆文祥:氧化鎵單晶生
780
湯瀟:全溶液法沉積柔
1840
張逸韻:高溫氣氛退火
880
唐寧:氮化鎵量子阱中
1740
徐童齡:基于NiO/β-
660
張亞民:基于脈沖信號(hào)
840
劉紅輝:光照下AlGaN/
1700
陳鵬:GaN基肖特基功
3130
吳帆正樹(shù):碳化硅溝槽
1250
葉建東:氧化鎵基雙極
3520
李忠輝:新型Al(Ga)N/
2130
李天義:SiC紫外單光
1650
楊偉鋒:碳化硅(4H-Si
3550