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碳化硅及氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心AC-DC電源上的應(yīng)用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺(tái)達(dá)電子高階客制電源事業(yè)部中國(guó)區(qū)總監(jiān)Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics

定量陰極發(fā)光CL技術(shù)在氮化物半導(dǎo)體中的應(yīng)用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors劉兵武北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd

無(wú)損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術(shù)Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術(shù)The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學(xué)教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個(gè)科學(xué)問(wèn)題張榮--廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)、教授

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無(wú)線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無(wú)線系統(tǒng)，比如無(wú)線充電、能量收割、無(wú)處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來(lái)完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開(kāi)發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確

中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

中科院半導(dǎo)體所張翔帶來(lái)了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài)以及研究成果。

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來(lái)了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過(guò)極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過(guò)局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對(duì)III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。

西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開(kāi)關(guān)行為等內(nèi)容。 報(bào)告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實(shí)現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過(guò)濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告