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成都：擬對(duì)109個(gè)集成電路項(xiàng)目進(jìn)行支持

15.6億元！又一半導(dǎo)體材料項(xiàng)目破土動(dòng)工

近5億，上海林眾電子碳化硅相關(guān)項(xiàng)目正式啟用

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

華清電子擬在重慶建半導(dǎo)體封裝材料和集成電路先進(jìn)陶瓷生產(chǎn)基地

天科合達(dá)8英寸SiC襯底二期項(xiàng)目開工！

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泰興至美半導(dǎo)體科技產(chǎn)業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目正式奠基

湖南三安半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請(qǐng)一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

北京量子院徐洪起團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)器件研究中取得進(jìn)展

歐盟擬斥資 1.33 億歐元在荷蘭建設(shè)光子集成電路中試線

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

點(diǎn)莘技術(shù)完成新一輪融資

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秋水半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元天使+輪投資全球首創(chuàng)無損Micro-LED芯片

日本華為高級(jí)首席專家濱田公守將出席2024國際第三代半導(dǎo)體論壇并做大會(huì)報(bào)告 |IFWS 2024前瞻

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