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東湖高新區(qū)綜合評(píng)價(jià)居國(guó)家高新區(qū)第六位

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

突發(fā)！拜登政府對(duì)中國(guó)成熟制程芯片發(fā)起301 調(diào)查

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

總投資12億！晶益通半導(dǎo)體項(xiàng)目封頂

5億！這一激光項(xiàng)目年產(chǎn)1億顆激光芯片

3億元！又一半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約！

鄭州勢(shì)壘取得用于金剛石生長(zhǎng)的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問(wèn)題

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導(dǎo)體項(xiàng)目，明年開(kāi)工建設(shè)

韓國(guó)2025年將豪擲25.5萬(wàn)億韓元投資半導(dǎo)體、顯示器等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)

創(chuàng)銳光譜獲近億元Pre-A輪融資

為什么要對(duì)電動(dòng)汽車(chē)供電設(shè)備實(shí)施強(qiáng)制性產(chǎn)品認(rèn)證？

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

港大工程學(xué)者開(kāi)發(fā)革命性的鉆石制備技術(shù)

東方晶源榮獲2025 IC風(fēng)云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎(jiǎng)”

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問(wèn)題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

美國(guó)商務(wù)部批準(zhǔn)SK海力士提供4.58億美元《芯片法案》補(bǔ)貼

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

3.5億！一半導(dǎo)體項(xiàng)目在皖開(kāi)工

中山大學(xué)光子感知團(tuán)隊(duì)在國(guó)際頂級(jí)光學(xué)期刊《Laser & Photonics Review》發(fā)文

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