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晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件的性能

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)晶圓級(jí)封裝方法專利，提高晶圓封裝的良率

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

海信家電申請(qǐng)半導(dǎo)體裝置專利，降低半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)成本

東微半導(dǎo)申請(qǐng)氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

北京大學(xué)申請(qǐng)碳化硅平面柵MOSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

長(zhǎng)電科技申請(qǐng)光電芯片互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

盛美上海申請(qǐng)預(yù)濕腔內(nèi)外氣壓平衡控制裝置及方法專利

華為公司申請(qǐng)功率器件專利，提高半導(dǎo)體器件的可靠性

擬募資6億元！證監(jiān)會(huì)：同意燦芯股份科創(chuàng)板IPO注冊(cè)申請(qǐng)

北京大學(xué)申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

陽(yáng)光電源申請(qǐng)功率半導(dǎo)體保護(hù)專利，能為功率半導(dǎo)體模塊提供更快速及時(shí)的保護(hù)

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件專利

北京大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

臥龍電驅(qū)子公司龍能電力新三板掛牌申請(qǐng)獲受理

北京大學(xué)申請(qǐng)GaN與碳納米管CMOS電路專利

通用電氣申請(qǐng)超結(jié)功率半導(dǎo)體裝置專利，減少切換損耗

國(guó)家自然科學(xué)基金委發(fā)布“未來(lái)集成電路新理論與技術(shù)基礎(chǔ)研究”專項(xiàng)項(xiàng)目申請(qǐng)指南

蔚來(lái)汽車為自研芯片申請(qǐng)“蔚來(lái)?xiàng)顟臁鄙虡?biāo)，預(yù)計(jì)本月量產(chǎn)

至純科技18億元定增申請(qǐng)終止審核

鍇威特、愛科賽博科創(chuàng)板IPO注冊(cè)申請(qǐng)獲證監(jiān)會(huì)同意

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募資65億！士蘭微定增申請(qǐng)獲上交所受理發(fā)力SiC功率器件等領(lǐng)域

美國(guó)芯片法案開放申請(qǐng) 公布10大優(yōu)先事項(xiàng)

韓國(guó)2022年半導(dǎo)體等尖端技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠?span id="go4gs4a" class="highlight">申請(qǐng)量增加

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