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中機新材——團聚金剛石技術，賦能晶圓減薄新高度

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會日程出爐

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

SSLCHINA 2024前瞻：氮化物半導體固態(tài)紫外技術及應用分會日程出爐

河北：推動新一代信息技術產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展

睿創(chuàng)微納在微波功率放大器研究中取得重要進展

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鎵仁半導體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

中國科大微電子學院在GaN HEMT開關瞬態(tài)建模方向取得新進展

標準 | 碳化硅單晶生長用等靜壓石墨等2項技術標準形成委員會草案

投資33億美元豐田與NTT合作開發(fā)AI自動駕駛技術

突發(fā)！美國對華芯片和AI技術投資限制升級

鄧美薇：封裝技術成為美日對華半導體競爭的最前沿

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應用的激光巨量轉移技術

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2024海門新一代信息技術產(chǎn)業(yè)投資促進功能區(qū)揭牌

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應用，且應用技術已相對成熟

中國科大在鈣鈦礦軟X射線探測器件領域取得重要進展

上海交大在n型有機半導體摻雜領域取得重要進展

電子科技大學團隊在SCIENCE CHINA Information Sciences上發(fā)表研究成果

廣東：力爭到2030年取得超10項光芯片核心技術突破

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

中國科大在鈣鈦礦軟X射線探測器件領域取得重要進展

工信部：高級自動駕駛技術有望實現(xiàn)新的重大突破

廈大程其進／張洪良團隊: 高精度日盲紫外光電探測器重要新進展

南大譚海仁教授課題組刷新全鈣鈦礦光伏電池光電轉化效率世界紀錄

《廣州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)條例》公布重點發(fā)展人工智能、新型顯示、集成電路等產(chǎn)業(yè)

至芯半導體取得重大突破，推出高光效UV器件

我國在太陽能電池領域取得新突破

Nature Photonics | 基于深紫外microLED顯示的無掩膜光刻技術與應用示范

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