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杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

廣東：力爭(zhēng)到2030年取得超10項(xiàng)光芯片核心技術(shù)突破

立昂晶電：實(shí)現(xiàn)磷化銦半導(dǎo)體材料技術(shù)突破獲評(píng)雛鷹企業(yè)

國(guó)內(nèi)高校實(shí)現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

世紀(jì)金芯宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！

湖南：加強(qiáng)集成電路、工業(yè)母機(jī)、基礎(chǔ)軟件等關(guān)鍵技術(shù)突破

SSLCHINA2023│芯穎顯示謝相偉：Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破

工信部：著力推動(dòng)大模型算法技術(shù)突破，提升智能芯片算力水平

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工程院院士丁榮軍：新材料和新拓?fù)涫枪β势骷磥?lái)技術(shù)突破的關(guān)鍵路徑

科友6/8英寸碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)取得重大技術(shù)突破

國(guó)內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈短板補(bǔ)齊成效：技術(shù)突破與龍頭企業(yè)并現(xiàn)

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機(jī)新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項(xiàng)技術(shù)突破

河北工匠楊昆：第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)突破者

勁拓股份2021年?duì)I收9.89億元半導(dǎo)體硅片制造設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破

中晟光電深紫外 MOCVD 設(shè)備獲重大技術(shù)突破

國(guó)產(chǎn)嵌入式CPU實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破！阿里平頭哥獲浙江省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

后摩爾時(shí)代技術(shù)突破的新希望無(wú)SiP就莫談封裝

新一代半導(dǎo)體封裝技術(shù)突破三星宣布I-Cube4完成開發(fā)

科學(xué)家利用技術(shù)突破實(shí)現(xiàn)實(shí)用的半導(dǎo)體自旋電子技術(shù)

SiC領(lǐng)域20年來(lái)的重大技術(shù)突破，京都大學(xué)將品質(zhì)提高約10倍

中興通訊QCell實(shí)現(xiàn)5G室內(nèi)技術(shù)突破，單pRRU吞吐量達(dá)4.3Gbps

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