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日企致力于開(kāi)發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時(shí)

【CASICON 2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】中電科十三所郭建超：金剛石微波功率器件研究

【CASICON 2021】蘇州晶湛半導(dǎo)體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】安徽芯塔電子科技倪煒江：高性能高壓SiC器件設(shè)計(jì)與技術(shù)

【CASICON 2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

【CASICON 2021】愛(ài)發(fā)科左超：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】南京大學(xué)陳鵬：低開(kāi)啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展

上海電氣：計(jì)劃在8-10年內(nèi)成為上海電氣功率半導(dǎo)體器件集成封裝/測(cè)試的公共平臺(tái)，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品（SiC）

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：超過(guò)SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件

【CASICON 2021】中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】中國(guó)電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開(kāi)關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

GaN功率器件未來(lái)5-6年的發(fā)展趨勢(shì)

CASICON 2021前瞻：金剛石微波功率器件研究

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

功率器件半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)商芯能半導(dǎo)體完成過(guò)億元C輪融資，元禾重元領(lǐng)投

國(guó)產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達(dá)國(guó)際一流水平，組建歐洲銷售團(tuán)隊(duì)“出海"

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件

CASICON 2021前瞻：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

華芯拓遠(yuǎn)天津二期工廠建設(shè)計(jì)劃已啟動(dòng) 瞄準(zhǔn)MEMS慣性器件研發(fā)

CASICON 2021前瞻：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

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