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蘭州大學研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進展

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

先導(dǎo)科技半導(dǎo)體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目預(yù)計10月竣工！

“2024年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”獲獎榜單重磅公布！

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長飛先進半導(dǎo)體申請功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

報告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

電子科技大學朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

年產(chǎn)100萬只高速光通信器件和模塊項目正式啟動廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺正式投用

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

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