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【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】中國電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會在寧揭幕

GaN功率器件未來5-6年的發(fā)展趨勢

安徽芯塔電子科技有限公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理倪煒江博士將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會并分享主題報告

CASICON 2021前瞻：金剛石微波功率器件研究

CASICON 2021前瞻：碳化硅外延裝備及技術(shù)進展

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

奧趨光電CEO吳亮將出席2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會

西交利物浦大學(xué)副教授劉雯將出席2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會

廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院張保平將出席2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會

中國電科首席科學(xué)家陳堂勝將受邀出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會

南京郵電大學(xué)副校長郭宇鋒教授將出席2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會

功率器件半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)商芯能半導(dǎo)體完成過億元C輪融資，元禾重元領(lǐng)投

國產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達國際一流水平，組建歐洲銷售團隊“出海"

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件

CASICON 2021前瞻：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

西安交通大學(xué)電子學(xué)院院長助理李強副教授將受邀出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會

CASICON 2021前瞻：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

功率半導(dǎo)體器件企業(yè)時代電氣上市

聚能創(chuàng)芯/聚能晶源總經(jīng)理袁理將出席2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會

愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司邀您參加2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會

CASICON 2021前瞻：復(fù)旦大學(xué)青年研究員樊嘉杰將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會

大功率 IGBT 驅(qū)動的技術(shù)特點及發(fā)展趨勢分析

中科院上海微系統(tǒng)所程新紅研究員將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會，將帶來“SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)進展”

電子科技大學(xué)教授鄧小川將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會分享極端應(yīng)力下SiC MOSFET器件動態(tài)可靠性研究進展

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