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廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

最高5000萬(wàn)！廣東出臺(tái)12項(xiàng)措施支持人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)推出新款降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

先導(dǎo)科技半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目預(yù)計(jì)10月竣工！

“2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”獲獎(jiǎng)榜單重磅公布！

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

北京設(shè)立1000億元政府投資基金支持人工智能和機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護(hù)裝置、IGBT模塊及變頻器”

報(bào)告前瞻| 陽(yáng)光電動(dòng)力萬(wàn)富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

報(bào)告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專利公布

總投資16.8億元，晶旭半導(dǎo)體高頻濾波器芯片項(xiàng)目將于7月投用

比亞迪半導(dǎo)體“存儲(chǔ)器測(cè)試方法、存儲(chǔ)器測(cè)試裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

格恩半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體激光器封裝模組專利，降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

日本加強(qiáng)出口管制！42家中國(guó)實(shí)體列入“黑名單”，涉及處理器、光刻機(jī)等領(lǐng)域

德州儀器：到 2030 年，公司預(yù)計(jì)有超 95% 晶圓通過(guò)內(nèi)部采購(gòu)

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項(xiàng)目投產(chǎn)

英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務(wù)

蘋果攻機(jī)器人砷化鎵三雄迎大商機(jī)

年產(chǎn)100萬(wàn)只高速光通信器件和模塊項(xiàng)目正式啟動(dòng)廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個(gè)采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運(yùn)

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實(shí)驗(yàn)室信息材料與微納器件制備平臺(tái)正式投用

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