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清華航天航空學(xué)院李曉雁課題組揭示含不同多型體納米孿晶金剛石的增韌和裂紋愈合機(jī)制

科學(xué)家首次成功超導(dǎo)體與半導(dǎo)體結(jié)合

進(jìn)展|中科院物理所發(fā)現(xiàn)一類理想的超滑體系：大晶格失配范德華異質(zhì)界面

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

TCL華星開發(fā)全新量子點(diǎn)圖案化技術(shù)：大于 1000PPI

鈉電池來了！鋰電池危險了？

玻璃襯底上首次“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！

芯片工藝獨(dú)立自主取得進(jìn)展，中芯國際或以40nm為華為生產(chǎn)芯片

國際首次！上海光機(jī)所這一重要研究成果登上Nature封面

紫光股份稱16nm路由芯片已投片：7nm研發(fā)中

IME 發(fā)布 4 層半導(dǎo)體層 3D 堆疊技術(shù)，可提升效能降低成本

三安光電發(fā)明設(shè)環(huán)繞式擋板結(jié)構(gòu) 有效提高LED芯片發(fā)光亮度

中國智慧：30多年材料科技新突破把陽光搬進(jìn)房間

碳化硅色心自旋操控研究獲重要進(jìn)展為基于碳化硅的量子器件提供發(fā)展新方向

直降7萬！特斯拉Model Y 要借SiC玩極致性價比？

中電科200mm拋光設(shè)備已進(jìn)入中芯國際、華虹宏力、臺積電、聯(lián)電等國內(nèi)大線

結(jié)頂！浙江省集成電路創(chuàng)新平臺建設(shè)迎新進(jìn)展

力拼臺積電，三星宣布3納米GAA成功流片

中國工程院院士鄔賀銓：推進(jìn)5G建設(shè)不是一蹴而就，行業(yè)應(yīng)用還有痛點(diǎn)和誤區(qū)

華為芯片有希望了？國產(chǎn)自主研發(fā)14nm工藝明年或投產(chǎn)

愛立信與沃爾沃實(shí)現(xiàn)自動駕駛汽車跨境5G無縫連接

英特爾院士Johanna Swan：極致的異構(gòu)集成是半導(dǎo)體封裝未來趨勢

傲科引進(jìn)硅光團(tuán)隊(duì)，宣戰(zhàn)400G/800G光電芯片市場

無線充電技術(shù)將何去何從？

采用臺積電4nm？曝聯(lián)發(fā)科4nm處理器已在路上

王陽元院士：關(guān)鍵的、核心的集成電路可以成就一個新興企業(yè)乃至一個產(chǎn)業(yè)

中國汽車工業(yè)協(xié)會師建華：新能源汽車成本最大的是電池，電池企業(yè)溢價權(quán)很強(qiáng)??！

應(yīng)用材料芯片布線技術(shù)取得突破邏輯微縮可進(jìn)入3nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)

【前沿技術(shù)】郭浩中教授團(tuán)隊(duì)導(dǎo)入ALD技術(shù)，助力UVC LED突破技術(shù)難題

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