亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

簡述通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

廈大課題組在有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

山東省新一代半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)等重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室批準(zhǔn)建設(shè)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

中國科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺(tái)達(dá)電子篇

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號(hào)探測(cè)

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

簡述低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

GAA 晶體管繼任者？復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)公布CFET新進(jìn)展！

簡述電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院在二維半導(dǎo)體超薄介電層集成技術(shù)研究取得重要進(jìn)展

第13頁/共33頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<abbr id="egyqe"><strong id="egyqe"></strong></abbr>

<cite id="egyqe"></cite>

<cite id="egyqe"><delect id="egyqe"></delect></cite>