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基于范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電荷采樣光電探測器

美研究人員開發(fā)出十分鐘快充電動汽車新技術(shù)

上海光機所在光脈沖群速度控制研究方面取得進展

清華團隊基于二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)首次同步實現(xiàn)熱/電整流

蘇州納米所梁偉等在高重復(fù)頻率窄線寬外腔激光器領(lǐng)域取得進展

清華團隊基于二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)首次同步實現(xiàn)熱/電整流

半導(dǎo)體所等研究團隊合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進展

簡述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

高壓碳化硅器件封裝國內(nèi)外研究進展

西安交通大學(xué)研究團隊超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進展

中山大學(xué)研究團隊首次實現(xiàn)了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射頻諧振器

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

瀚天天成電子科技(廈門)有限公司招聘

國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計提高系統(tǒng)設(shè)計功率密度

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述

金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動態(tài)幾則

中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進展

保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

合肥工業(yè)大學(xué)在可重定義微波無源器件研究領(lǐng)域取得新進展

韓科研團隊研發(fā)新一代半導(dǎo)體氣敏傳感器

深圳大學(xué)劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

山東大學(xué)與南砂晶圓團隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

解析電子封裝陶瓷基板

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

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