亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<rt id="quyqg"></rt>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈條核心：外延技術(shù)

盛美半導(dǎo)體首臺(tái) 12 英寸單晶圓薄片清洗設(shè)備提前獲得驗(yàn)收

在GaNVCSEL中實(shí)現(xiàn)單模工作

2021年，中國(guó)科技發(fā)展的風(fēng)口會(huì)在哪里？

繞開光刻機(jī)，華為破冰，美媒感嘆：太快了

時(shí)隔7年，昔日光刻機(jī)巨頭卷土重來(lái)，挑戰(zhàn)荷蘭ASML霸主地位

金剛石芯片關(guān)鍵技術(shù)獲得突破：從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu)

用氮化鎵消除激光雷達(dá)的障礙

蘋果推出氮化鎵快充，釋放了哪些信號(hào)？

高通推出5G基站芯片平臺(tái) 2022年上半年提供工程樣片

“芯"基建-18：仿生和超構(gòu)：道法自然or人定勝天？

寬帶隙SiC如何加速電動(dòng)車創(chuàng)新？

徐州12寸半導(dǎo)體大硅片成功下線

東芝發(fā)力量子加密技術(shù) 稱到2030年將創(chuàng)造30億美元收入

解讀碳化硅晶圓劃片技術(shù)

三星考慮投資8寸晶圓半自動(dòng)產(chǎn)線

國(guó)產(chǎn)28nm工藝加速去美國(guó)化國(guó)產(chǎn)化可期

國(guó)電電力自主研發(fā)28納米物聯(lián)網(wǎng)芯片問世

Verizon與三星、康寧合作實(shí)驗(yàn)室內(nèi)5G毫米波解決方案

北京大學(xué)教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進(jìn)展

中科院院長(zhǎng)白春禮：在光刻機(jī)、高端芯片等方面，集結(jié)精銳力量組織系統(tǒng)攻關(guān)

SiC領(lǐng)域20年來(lái)的重大技術(shù)突破，京都大學(xué)將品質(zhì)提高約10倍

臺(tái)積電或?qū)⒃?022年上半年使用其5納米EUV工藝制造英特爾CPU

山東有研8寸單晶硅片拉制成功

英偉達(dá)與三星、美光合作制造新游戲芯片

“芯”基建-9：費(fèi)米能級(jí)：世界是平的？

我國(guó)將在第十四個(gè)“五年計(jì)劃”里協(xié)助開發(fā)7nm工藝（2021-2025）

海特高新：海威華芯已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等在內(nèi)的6大類工藝產(chǎn)品的研發(fā)

從MOCVD會(huì)議角度淺談半導(dǎo)體芯片仿真技術(shù)的重要性

IGBT行業(yè)專題報(bào)告：國(guó)產(chǎn)龍頭突圍，進(jìn)口替代進(jìn)行時(shí)

第31頁(yè)/共34頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<button id="gugww"><dl id="gugww"></dl></button>

<rt id="gugww"><pre id="gugww"></pre></rt>

<dl id="gugww"><acronym id="gugww"></acronym></dl>

<cite id="gugww"></cite>

<dl id="gugww"></dl>

<rt id="gugww"></rt>

<button id="gugww"></button>

<abbr id="gugww"></abbr>