3月21日，高溫超導(dǎo)硅單晶設(shè)備及晶體生產(chǎn)項目在銀川經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)開工。該項目計劃總投資100億元，將建設(shè)光伏級、半導(dǎo)體級高溫超導(dǎo)單晶硅生長設(shè)備制造項目，以及高品質(zhì)光伏級、半導(dǎo)體級硅晶體生長、切片、拋光、退火項目，建成后將形成國內(nèi)領(lǐng)先的硅單晶生產(chǎn)能力。

據(jù)悉，該項目分三期建設(shè)，其中一期計劃投資30億元，形成年產(chǎn)4萬噸高品質(zhì)單晶硅、年產(chǎn)600臺高溫超導(dǎo)光伏級單晶硅生長設(shè)備的生產(chǎn)能力。一期項目建成后，可實現(xiàn)年銷售收入35億元，年利稅3.5億元，帶動就業(yè)1000余人。

在光伏產(chǎn)業(yè)的價值鏈條中，硅單晶材料如同生物基因決定整個產(chǎn)業(yè)的性能與成本。純度高達(dá)99.9999%的晶體材料，經(jīng)切割、制絨、擴散等20余道工序后，最終轉(zhuǎn)化為光電轉(zhuǎn)換的核心載體——太陽能電池片。其結(jié)構(gòu)的完整性直接決定電池轉(zhuǎn)換效率，而雜質(zhì)含量ppm級的控制精度則影響組件的衰減速率。此次投資的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長設(shè)備及技術(shù)可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產(chǎn)效率提升12%，可拉出直徑達(dá)340mm的高品質(zhì)硅棒。