由智新半導體有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 041—202X《基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法》已完成征求意見稿的編制，該項標準征求意見稿按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據(jù)聯(lián)盟標準化工作管理辦法，2025年3月24日起開始征求意見，截止日期2025年4月23日。

T/CASAS 041—202X《基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法》規(guī)定了SiC功率半導體模塊的變頻輸出測試方法（基于無功負載），包括：測試裝置、測試程序以及失效判據(jù)。

本文件適用于SiC MOSFET、Si IGBT或混合模塊的變頻輸出測試、三相逆變拓撲電路應用的功率模塊篩選（其他拓撲電路應用可參照使用）。本文件也適用于分立器件的篩選測試。

征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。

智新半導體有限公司

智新半導體公司由東風公司旗下智新科技和株洲中車時代于2019年共同成立，主要從事車規(guī)級功率半導體模塊的研發(fā)生產(chǎn)。2021年，公司在武漢經(jīng)開區(qū)建成了IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化基地，是華中地區(qū)首只量產(chǎn)的IGBT模塊產(chǎn)品。2024年4月，智新半導體第二條生產(chǎn)線在武漢經(jīng)開區(qū)投用。半年后，智新半導體二期新產(chǎn)線月度產(chǎn)量超過3.5萬只，創(chuàng)該產(chǎn)線投產(chǎn)以來月度產(chǎn)量的歷史新高。

公司已完成Si IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT模塊的產(chǎn)品布局，電壓覆蓋650V-2000V，滿足50kW-600kW電驅(qū)需求。

目前智新半導體的產(chǎn)品已經(jīng)在比亞迪、嵐圖汽車、猛士科技、東風乘用車、東風商用車等多款車型上搭載，累計為近百萬輛新能源汽車裝上自主“大腦”。其開發(fā)的功率模塊五大產(chǎn)品系列覆蓋峰值60KW-400KW電機的需求，可滿足整車架構(gòu)400V和800V高壓的需求。智新半導體公司相關(guān)負責人介紹，2025年客戶訂單有望較2024年增長近一倍。后續(xù)，公司將適時投建第三條產(chǎn)線，以滿足客戶持續(xù)增長的需求。