GaN與SiC器件在不同應(yīng)用場景下的表征方法逐步標(biāo)準(zhǔn)化，但復(fù)雜工況下的長期可靠性驗證仍需深入探索。 

近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦的“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。論壇圍繞功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈中的諸多關(guān)鍵問題，多方優(yōu)勢力量強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，院士領(lǐng)銜，專家齊聚，攜手促進(jìn)功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

 泰克科技大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣

期間，“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”上，泰克科技大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣出席論壇，并帶來”從參數(shù)測試到可靠性驗證 新型功率器件的特性表征“的主題報告。當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體功率器件在參數(shù)測試、可靠性驗證等方面面臨著諸多問題。報告涉及功率半導(dǎo)體反向恢復(fù)參數(shù)測試、動態(tài)Rdson測試、短路耐受時間測試、IGBT 短路測試、動態(tài)老化測試系統(tǒng)、高溫工作壽命測試 HTOL、HTOL測試、晶圓級 DHTOL老化測試等。

報告指出，SiC MOSFET 的可靠性問題涉及SiC的柵氧化層可靠性、SiC的（動態(tài)）閾值電壓漂移 （BTI）、SiC MOSFET 在高 dv/dt 條件下的可靠性問題等。應(yīng)用端可靠性問題，涉及失效機(jī)理不清晰，需要在真實應(yīng)用場景下加速測試。

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泰克（Tektronix）是一家全球領(lǐng)先的提供測試、測量和監(jiān)測解決方案的供應(yīng)商，泰克設(shè)計和制造能夠幫助您測試和測量各種解決方案，從而突破復(fù)雜性的層層壁壘，加快并賦能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。泰克成立于 1946 年，是世界第一臺觸發(fā)式示波器的發(fā)明者。當(dāng)今泰克已成為全球主要的電子測試測量供應(yīng)商之一，其市場遍布全球各洲。并先后于 2010 年收購吉時利Keithely 以及 2024 年成功收購德國直流電源品牌 EA Elektro-Automatik。泰克推出的各種解決方案在過去的 78 年間，為許多人類重大進(jìn)步提供了強(qiáng)有力的支持。我們的辦事處遍布于 21 個國家和地區(qū)，致力于為即將創(chuàng)造未來的全球科學(xué)家、工程師和技術(shù)人員提供服務(wù)和支持。