半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項目、日月光又一先進(jìn)封裝項目、希磁科技MEMS智能磁傳感器核心器件中試研發(fā)項目、鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產(chǎn)線、星柯先進(jìn)光電顯示產(chǎn)業(yè)項目高性能載板項目、泰國首個SiC工廠項目迎來新進(jìn)展。詳情如下：

1、漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項目開工奠基

10月8日，江蘇漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項目在淮陰區(qū)開工。市長顧坤宣布項目開工。

江蘇漢道精密制造有限公司董事長晏偉表示，項目從8月26日簽約到今天“五證聯(lián)發(fā)”正式開工建設(shè)，僅用時42天，體現(xiàn)了淮安高效的政務(wù)服務(wù)和優(yōu)質(zhì)的營商環(huán)境。下一步，企業(yè)將以更加科學(xué)的態(tài)度規(guī)劃施工、更加嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓芾泶_保質(zhì)量、更加高效的協(xié)作加快進(jìn)度，確保項目加速推進(jìn)、早日竣工投產(chǎn)，為地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展作出積極貢獻(xiàn)。

漢道精密制造項目位于淮安高新區(qū)，主要從事半導(dǎo)體零部件研發(fā)與制造、3C電子產(chǎn)品精密加工等，工裝處于行業(yè)一流水平，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在手機(jī)、平板、汽車制造等領(lǐng)域，建筑面積6.25萬平方米，計劃購置CNC加工設(shè)備2200臺。此次漢道精密制造等項目的開工，是淮陰區(qū)落實市委八屆九次全會、全市高質(zhì)量發(fā)展和重特大項目建設(shè)推進(jìn)會精神的實際行動，也是全區(qū)開展百日攻堅突破行動的重要成果，自攻堅突破行動開展以來，全區(qū)共開工項目23個，其中10億元以上項目6個，協(xié)議總投資超80億元，將為提升產(chǎn)業(yè)層次、壯大產(chǎn)業(yè)實力提供堅實支撐。

2、日月光又一先進(jìn)封裝項目開工，預(yù)計2026年完工

日月光K28大社智慧工廠今舉行動土典禮，預(yù)計2026年完工，高市經(jīng)發(fā)局肯定日月光深耕臺灣，除強(qiáng)化競爭力，還可為地方增加近900個就業(yè)機(jī)會。

日月光高雄廠總經(jīng)理羅瑞榮表示，公司為滿足先進(jìn)封裝制程（CoWoS）的晶圓、終端測試需求，于面積約2公頃的大社基地興建K27、K28廠房，K27已于2023年啟用，今日動土的K28由日月光提供所持有大社土地，宏璟建設(shè)提供資金合建廠房，預(yù)計興建地上7樓、地下1樓廠房建筑，以低碳建材蓋廠。高市府依行政院核定「工業(yè)區(qū)更新立體化發(fā)展方案」。

3、安徽蚌埠將建設(shè)年產(chǎn)約2億顆MEMS中試研發(fā)產(chǎn)線

10月7日上午，希磁科技MEMS智能磁傳感器核心器件中試研發(fā)項目在市經(jīng)開區(qū)簽約。

MEMS智能磁傳感器核心器件中試研發(fā)項目總投資7億元，將在中國傳感谷建設(shè)一條年產(chǎn)約2億顆MEMS智能線性類、角度類、磁場類磁傳感器核心器件中試研發(fā)產(chǎn)線。項目的建設(shè)，將實現(xiàn)傳感器核心器件制造環(huán)節(jié)的完全自主可控，對助力提升國家自主創(chuàng)新能力具有重要意義。

4、鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產(chǎn)線通線試產(chǎn)

9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子近日在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。

鑫威源電子從事氮化鎵半導(dǎo)體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝等的設(shè)計與開發(fā)，以及產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，致力于實現(xiàn)國產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化。據(jù)悉，鑫威源電子投資打造的大功率氮化鎵半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項目，于今年4月在武漢市江夏區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園完成廠房建設(shè)，無塵車間內(nèi)的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統(tǒng)相繼達(dá)標(biāo)并投入使用。

廠房竣工后，鑫威源電子完成了超過一百臺套制造設(shè)備的安裝和調(diào)試，打通了芯片制造產(chǎn)線。在廠區(qū)內(nèi)，鑫威源電子還完成了相關(guān)技術(shù)能力的轉(zhuǎn)移，并進(jìn)行了產(chǎn)品試驗生產(chǎn)。今年9月，鑫威源電子實現(xiàn)了藍(lán)光450nm激光芯片的重大技術(shù)突破：閾值電流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光電轉(zhuǎn)換效率WPE達(dá)到45%，產(chǎn)品技術(shù)可以滿足市場對大功率氮化鎵半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用要求。

5、總投資310億元，星柯先進(jìn)光電顯示產(chǎn)業(yè)項目高性能載板一號廠房主體封頂

10月8日上午，位于杭紹臨空示范區(qū)紹興片區(qū)的浙江星柯先進(jìn)光電顯示產(chǎn)業(yè)項目，隨著高性能載板一號廠房主體封頂，項目再次刷新落地建設(shè)的“柯橋速度”。

據(jù)了解，該項目將建設(shè)高性能載板玻璃項目、高端柔性顯示器件項目、戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)智造基地及研究院項目、MLED顯示芯片及模組項目、功率半導(dǎo)體及儲能智造項目等。

“年底前實現(xiàn)首條生產(chǎn)線的點火投產(chǎn)，預(yù)計釋放高性能載板玻璃產(chǎn)能214萬片。”現(xiàn)場，公司總經(jīng)理趙永華信心滿滿地說道。產(chǎn)業(yè)新、項目實、推進(jìn)快，是“星柯光電”項目的“標(biāo)簽”。

據(jù)悉，該項目總投資310億元，占地700畝，是近三年來我區(qū)引進(jìn)落地的最大規(guī)模產(chǎn)業(yè)項目。擬建設(shè)高性能載板玻璃、戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)智造基地及研究院等，依托國家工程實驗室及“國家科技進(jìn)步獎”、國家專利金獎的相關(guān)技術(shù)，聚焦光電顯示領(lǐng)域核心，力求打破國際巨頭在該領(lǐng)域的壟斷，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

6、泰國將投資3.5億美元建設(shè)首個SiC工廠，預(yù)計2027年運(yùn)營

泰國將建立首家碳化硅（SiC）晶圓工廠，預(yù)計該工廠將于2027年投入運(yùn)營，以期在半導(dǎo)體行業(yè)取得重大進(jìn)展。據(jù)報道，泰國投資委員會宣布支持Hana Microelectronics和PTT Group成立的合資企業(yè)FT1 Corporation，投資115億泰銖（3.5億美元）建設(shè)泰國首家SiC工廠，該工廠將使用從韓國芯片制造商轉(zhuǎn)讓的技術(shù)生產(chǎn)6英寸和8英寸晶圓。

該工廠預(yù)計將于2027年第一季度投產(chǎn)，以滿足汽車、數(shù)據(jù)中心和儲能市場日益增長的需求。泰國投資委員會秘書長Narit Therdsteerasukdi于9月20日率領(lǐng)代表團(tuán)前往南奔府視察一項重大晶圓制造投資項目的進(jìn)展情況。他強(qiáng)調(diào)了泰國的中立地緣政治立場、有競爭力的成本以及未來擴(kuò)大生產(chǎn)的潛力。