近日，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)。這是國(guó)內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線，與國(guó)際同時(shí)起步的6英寸單晶生長(zhǎng)技術(shù)及更加適合量產(chǎn)的外延技術(shù)將“換道超車(chē)”，助力新型超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量快速發(fā)展。

氧化鎵單晶可以通過(guò)熔體法生長(zhǎng)，從而在制備成本、單晶質(zhì)量、缺陷或尺寸等方面相對(duì)于第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料及超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁、金剛石材料有明顯優(yōu)勢(shì)，從而成為大國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵材料。另外，氧化鎵材料的熱處理溫度及硬度均與單晶硅較為接近，從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為氧化鎵器件線僅僅需要更換5%設(shè)備，相比而言，碳化硅材料硬度較大，且熱處理溫度較高，從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為碳化硅器件線，需要更換25%設(shè)備。

考慮到現(xiàn)存單晶硅的器件線以6英寸及8英寸為主，氧化鎵單晶材料及外延片需要跨過(guò)6英寸門(mén)檻后才能進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快車(chē)道?，F(xiàn)階段，公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型及絕緣型氧化鎵單晶襯底的制備，單晶外延技術(shù)也取得重要進(jìn)展，已達(dá)到6英寸硅基器件線產(chǎn)業(yè)化門(mén)檻。

據(jù)了解，目前國(guó)際上僅僅有日本NCT（Novel Crystal Technology, Inc）有6英寸氧化鎵量產(chǎn)計(jì)劃。杭州富加鎵業(yè)是國(guó)內(nèi)目前唯一一家同時(shí)具備6英寸單晶生長(zhǎng)及外延的公司，開(kāi)工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線也是國(guó)內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線，該生產(chǎn)線高度集成單晶生長(zhǎng)、襯底加工、外延及檢測(cè)，整條產(chǎn)線涉及關(guān)鍵設(shè)備包括“一鍵長(zhǎng)晶”單晶生長(zhǎng)設(shè)備、多線切割設(shè)備、高精度研磨拋光設(shè)備、倒角設(shè)備、激光加工設(shè)備、全自動(dòng)化晶片清洗設(shè)備、高通量外延設(shè)備、表面缺陷檢測(cè)儀、電學(xué)性能測(cè)試儀等重要設(shè)備。面向未來(lái)，6英寸的氧化鎵單晶及外延片將為下游器件廠商提供穩(wěn)定可控的高質(zhì)量氧化鎵材料。

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日，是杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所注冊(cè)成立的第一家“硬科技〞企業(yè)，公司以“讓世界用上好材料”為愿景，開(kāi)展寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，主要從事氧化鎵單晶材料生長(zhǎng)、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售工作，產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率器件、微波射頻及光電探測(cè)等領(lǐng)域。（來(lái)源：富加鎵業(yè)）