碳化硅（SiC）作為一種第三代半導體典型代表，因其具有禁帶寬度大、 熱穩(wěn)定性強、 熱導率高、 抗輻射能力強等優(yōu)點，不僅在廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、人工智能等領(lǐng)域，還在在航空航天、石油化工、國防軍事等領(lǐng)域等極端環(huán)境具有巨大的應用潛力。相關(guān)器件和電路技術(shù)也是SiC重點亟待突破的方向。
2024年6月21至23日，“新一代半導體晶體技術(shù)及應用大會”將在山東濟南召開，將邀請新一代半導體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席，共同研討新一代半導體晶體技術(shù)進展及未來發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導體晶體技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
西安電子科技大學，教授、博導，西電蕪湖研究院副院長宋慶文受邀將出席會議，并帶來《碳化硅電子器件技術(shù)若干新進展》的主題報告，報告將從碳化硅器件的技術(shù)發(fā)展共性技術(shù)出發(fā)，分析探討若干碳化硅電子器件的研究現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢，及其團隊近年來在此方向所做的研究工作。
宋慶文、西安電子科技大學教授、 博導、國家重點研發(fā)計劃青年首席科學家，省部級重點創(chuàng)新團隊帶頭人、西電蕪湖研究院副院長、陜西省半導體先導中心特聘專家。主要從事SiC高壓大功率器件、SiC抗輻射功率器件/超結(jié)器件，SiC等離子波器件（DSRD、DAS、FID等）及高性能脈沖源、SiC基耐高溫集成電路和探測器件等研究和產(chǎn)業(yè)化工作。主持國家重點研發(fā)計劃、國家重大專項、NSFC項目二十余項，主持規(guī)劃建造完成了4/6寸SiC中試Fab，實現(xiàn)了1200V、1700V、3300V和6500V，10kV電壓平臺系列化碳化硅IGBT /MOSFET/JBS等器件的研制和產(chǎn)品開發(fā)，實現(xiàn)了相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)在重點裝備中應用驗證，部分成果獲陜西省青年科技新星，陜西省技術(shù)發(fā)明一等獎及陜西省電子學會技術(shù)發(fā)明一等獎等獎項。在微電子器件領(lǐng)域期刊IEEE Trans. Power electronics、IEEE Electron Device letter、IEEE Trans. Electron Devices等期刊發(fā)表論文100余篇，擁有授權(quán)國家發(fā)明專利60余項。
一、組織機構(gòu)
指導單位：
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
山東中晶芯源半導體科技有限公司
山東華光光電子股份有限公司
山東大學新一代半導體材料研究院
山東大學晶體材料國家重點實驗室
極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ybx365.cn）
第三代半導體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司
協(xié)辦支持：
山東硅酸鹽學會新材料專委會
濟南晶谷研究院
江蘇通用半導體有限公司
北京中電科電子裝備有限公司
江蘇才道精密儀器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顧問委員會：
陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀美
大會主席：張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲
大會副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華
程序委員會：
李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊曉燕 黎大兵 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強 張進成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 韓吉勝 黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波 王成新 于國建 萬成安 上官世鵬
組織委員會：
李樹強 李強 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃 劉鵬 王雨雷 王?，| 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等
二、主題方向
1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應用
·碳化硅晶錠激光剝離技術(shù)及其設(shè)備
·液相法碳化硅單晶生長技術(shù)
·碳化硅外延生長技術(shù)
·先進長晶及外延碳材石墨技術(shù)
·碳化硅功率器件設(shè)計與制造技術(shù)
·先進碳化硅長晶爐及外延生長裝備
·先進晶體缺陷檢測技術(shù)及其設(shè)備
·先進研磨設(shè)備及先進拋光技術(shù)
·激光退火設(shè)備及技術(shù)
·先進刻蝕設(shè)備及技術(shù)
·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進封裝設(shè)備
2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應用
·氮化鎵單晶及外延生長技術(shù)
·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)
·超寬禁帶半導體單晶技術(shù)
·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備
·大尺寸金剛石單晶生長技術(shù)
·氧化鎵單晶生長技術(shù)
·氧化鎵外延及器件技術(shù)
·先進AlN 單晶生長技術(shù)及其應用
·Micro LED 技術(shù)
3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應用
·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)
·半導體激光器技術(shù)及應用
·車用激光雷達技術(shù)及應用
·光通信技術(shù)及應用
·紅外LED及顯示照明技術(shù)
三、會議概覽
會議時間：2024年6月21-23日
會議酒店：山東·濟南融創(chuàng)施柏閣酒店
四、擬參與單位
北方華創(chuàng)、百識電子、比亞迪半導體、長飛半導體、東莞天域、東尼電子、華大半導體、華虹半導體、海思半導體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國星光電、基本半導體、江蘇宏微、晶盛機電、晶湛半導體、科友半導體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導體、山東華光、山東華云光電、中晶芯源、是德科技、三環(huán)集團、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、宇晶股份、艾姆希半導體、晶工半導體、賽爾科技、通用半導體、泰克科技、安儲科技、華林嘉業(yè)、聯(lián)盛電子、厚德鉆石、博宏源、昂坤視覺、瑞霏光電、中科漢達、上海央米智能、同光半導體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導新材、西門子、小鵬汽車、意法半導體、英飛凌、揚杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學、東南大學、電子科技大學、復旦大學、清華大學、南京大學、山東大學、西安電子科技大學、西安交通大學、廈門大學、浙江大學、中科院半導體所、中科院微電子所等
五、活動參與
1、注冊費2800元，6月10日前注冊報名2500元（含會議資料袋，6月22日午餐、歡迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預定中，請具體請咨詢。
2、掃碼報名
掃碼完成預報名，然后再注冊繳費
六、繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
七、聯(lián)系方式
報告及論文投稿聯(lián)系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會及商務(wù)合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
中晶芯源 聯(lián)系人 ：
王先生 15811352980
八、協(xié)議酒店
1、會議酒店名稱：濟南融創(chuàng)施柏閣酒店（濟南市歷城區(qū)鳳鳴路5865號）
協(xié)議價格：大床/ 標間 含早 500元/1-2份早餐
預訂方式：
發(fā)郵件到 預訂部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
郵件模本：晶體會議，姓名，電話，房型，入住時間，退房時間
酒店銷售經(jīng)理：謝文寧15966068948
2、周邊協(xié)議酒店
