隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴(kuò)展以及技術(shù)的不斷提升，超寬禁帶半導(dǎo)體呈現(xiàn)出越來越明顯的應(yīng)用優(yōu)勢，在多個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著4G和5G移動(dòng)通信、雷達(dá)探測、軌道交通、光伏發(fā)電、半導(dǎo)體照明、高壓輸變電等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展，寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體器件已成為國際半導(dǎo)體器件和材料的研究和產(chǎn)業(yè)化熱點(diǎn)，并不斷的有新的突破提升。
第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會(huì)議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級(jí)開、閉幕大會(huì)，設(shè)有七大主題技術(shù)分會(huì)，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會(huì)，將匯聚全球頂級(jí)精英，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。
目前，作為IFWS的重要分會(huì)之一的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)“日程出爐，本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司的協(xié)辦支持，江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室南京大學(xué)的學(xué)術(shù)支持。分會(huì)上，來自沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)、中山大學(xué)、電子科技大學(xué)、香港大學(xué)、大阪公立大學(xué)、西安交通大學(xué)、山東大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所、吉林大學(xué)、瑞典林雪平大學(xué)、北京郵電大學(xué)、廈門大學(xué)、桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院、武漢大學(xué)、南京大學(xué)、鄭州大學(xué)、西安交通大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)等國內(nèi)外實(shí)力派代表性科研力量將齊聚，共同探討超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展趨勢及最新動(dòng)向。
分會(huì)日程詳情如下
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技術(shù)分論壇: 超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)
Technical Sub-Forum: Technologies for Ultra-wide Bandgap Semiconductors
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時(shí)間：2023年11月29日08:30-18:30
地點(diǎn)：廈門國際會(huì)議中心酒店 • 1B會(huì)議室
Time: Nov 29, 08:30-18:30
Location: Xiamen International Conference Center • 1B Meeting Room
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協(xié)辦支持/Co-organizer:
三光光電股份有限公司 San’an Co.,ltd
學(xué)術(shù)協(xié)辦/Academic Co-organizer
南京大學(xué)--江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electrionic Materials Seciences and Technology
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
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主持人
Moderator
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龍世兵 / LONG Shibing
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授
Executive Dean & Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China
王宏興/WANG Hongxing
西安交通大學(xué)教授
Professor of Xi'an Jiaotong University
葉建東 / YE Jiandong
南京大學(xué)教授
Professor of Nanjing University
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08:25-08:30
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嘉賓致辭 / Opening Address
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08:30-08:50
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氧化鎵異質(zhì)集成功率電子與射頻器件研究
Heterointegration of Ga2O3 enhancing power electronic and RF devices
葉建東--南京大學(xué)教授
YE Jiandong--Professor of Nanjing University
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08:50-09:10
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基于GaN、AlN、Ga2O3的高集成寬帶隙半導(dǎo)體系統(tǒng)
Towards highly integrated wide bandgap semiconductor systems based on GaN, AlN, Ga2O3
李曉航--沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)副教授
LI Xiaohang--Associate professor and Principal Investigator，King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
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09:10-09:30
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氧化鎵異質(zhì)外延生長技術(shù)研究及其應(yīng)用
Research and Application of Gallium Oxide Heteroepitaxial Growth Technology
王鋼--中山大學(xué)教授
WANG Gang--Professor of Sun Yat-sen University
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09:30-09:45
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高電流密度高擊穿電壓增強(qiáng)型柵控異質(zhì)結(jié)垂直β-Ga2O3 MOSFET
High Current Density and High Breakdown Voltage Enhancement-Mode Gate-controlled Heterojunction Vertical β-Ga2O3 MOSFET
蔣卓林--電子科技大學(xué)
Jiang Zhuolin--University of Electronic Science and Technology of China
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09:50-10:05
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基于異質(zhì)外延E模的β-Ga2O3 NMOS集成電路MOSFET
Monolithically integrated β-Ga2O3 NMOS IC based on heteroepitaxial E-mode
MOSFETs
Vishal Khandelwal--沙特國王科技大學(xué)
Vishal Khandelwal--King Abdullah University of Science and Technology,
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10:10-10:25
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茶歇 / Coffee Break
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10:25-10:45
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應(yīng)變金剛石在半導(dǎo)體和光電子領(lǐng)域的應(yīng)用
Strained diamond for semiconductor and optoelectronics applications
陸洋--香港大學(xué)教授
LU Yang--Professor of Hongkong University
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10:45-11:05
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用于實(shí)際器件應(yīng)用的GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)的增強(qiáng)熱性能
Enhanced Thermal Performance in GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Applications
梁劍波--大阪公立大學(xué)副教授
LIANG Jianbo--Associate Professor, Osaka Metropolitan University
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11:05-11:20
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單晶金剛石高效調(diào)控?fù)诫s研究
Research on the high-effectively modulated doping in single crystal diamond
王若錚--西安交通大學(xué)副教授
Wang Ruozheng--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
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11:20-11:35
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氫終端接金剛石MESFET的穩(wěn)定性研究
Research on Stability of H-terminated Diamond MESFET
葛磊--山東大學(xué)
GE Lei--Shandong University
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11:35-11:50
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高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能Fabrication and Device Properties of GaN/Diamond Structure with High Thermal Conductivity
孫杰 中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所工程師
SUN Jie Senior Engineer, 46th Research Institute of China Electronics Technology Group
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11:50-12:05
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先進(jìn)的溝槽結(jié)構(gòu)垂直金剛石二極管實(shí)現(xiàn)高性能Advanced vertical diamond diodes with trench structure towards high performances
劉家煒--吉林大學(xué)
Jiawei LIU--Jilin University
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12:25-13:30
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午休 / Adjourn
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13:30-13:50
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MOVPE growth of gallium oxide for next generation power electronics
Daniela GOGOVA--瑞典林雪平大學(xué)
Daniela GOGOVA--linkOPING UNIVERSITY, Sweden
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13:50-14:10
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超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵外延薄膜沉積技術(shù)及研究進(jìn)展
Research progress and deposition technology of gallium oxide epitaxial thin films
李培剛--北京郵電大學(xué)教授
LI Peigang--Professor of Beijing University of Posts and Telecommunications
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14:10-14:30
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Ga2O3外延薄膜的電子結(jié)構(gòu)及摻雜機(jī)理
The Electronic Structure and Doping Mechanism in Ga2O3 Epitaxial Thin Films
張洪良--廈門大學(xué)教授
ZHANG Hongliang--Professor of Xiamen University
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14:30-14:50
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氧化鎵系列薄膜光電器件初探 Gallium oxide based thin films for Optoelectronic application
張法碧-桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長、教授
LI Haiou--Professor & Deputy Dean of the School of Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Science and Technology
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14:50-15:05
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高通量界面預(yù)測與生成方案——以β-Ga2O3/AlN界面為例
High-Throughput Interface Prediction and Generation Scheme: The Case ofβ-Ga2O3/AlN Interfaces
張召富--武漢大學(xué)研究員
ZHANG Zhaofu--Professor of Wuhan University
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15:05-15:20
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鹵化物氣相外延生長在（0001）藍(lán)寶石上的（-310）取向β-Ga2O3：生長和結(jié)構(gòu)表征
(-310)-oriented β-Ga2O3 grown on (0001) sapphire by halide vapor phase epitaxy: growth and structural characterizations
許萬里--南京大學(xué)
XU Wanli--Nanjing University
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15:10-15:25
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茶歇 / Coffee Break
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15:25-15:45
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氮化硼半導(dǎo)體材料的制備及其在紫外探測方面的應(yīng)用
Synthesis of Boron Nitride Semiconducting Materials for VUV/UV-C Detection
殷紅--吉林大學(xué)教授
YIN Hong--Professor of Jilin University
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15:45-16:05
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六方氮化硼MOCVD生長機(jī)制研究綜述
A Review on Growth Mechanisms of Hexagonal Boron Nitride by MOCVD
劉玉懷--鄭州大學(xué)教授
LIU Yuhuai--Zhengzhou University
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16:05-16:25
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hBN的LPCVD薄膜生長及異質(zhì)結(jié)制備
The film growth and heterojunction fabrication of hBN via LPCVD
李強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
Li Qiang--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
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16:25-16:40
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Ga2O3/4H-SiC異質(zhì)結(jié)的真空退火工藝研究
Study of vacuum annealing process of Ga2O3/4H-SiC heterojunction
沈毅--復(fù)旦大學(xué)
SHEN Yi--Fudan University
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16:40-16:55
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碳基有源無源器件研究
Recent Development of Carbon-based Active and Passive Electronic Devices
馮欣--西安電子科技大學(xué)華山準(zhǔn)聘副教授
FENG Xin— Huashan Associate Professor of Xidian University
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16:55-17:10
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不同終端（h-、O-、F-、OH-）調(diào)制的h-BN/金剛石（111）的界面電子性質(zhì)和能帶排列
Interfacial electronic properties and band alignment of h-BN/diamond (111) modulated by different terminals (H-, O-, F-, OH-)
屈藝譜--鄭州大學(xué)
QU Yipu--Zhengzhou University
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17:10-17:25
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脈沖激光沉積法優(yōu)化金剛石復(fù)合材料異質(zhì)外延氧化鎵薄膜Optimization of Heteroepitaxial Gallium Oxide Thin Films on Diamond Composite Substrates using Pulsed Laser Deposition Method
顧林 --復(fù)旦大學(xué)
GU Lin -Fudan university
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17:25-17:40
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低功率β-Ga2O3單片逆變器
Low power β-Ga2O3 monolithic inverters
Dhanu CHETTRI--沙特國王科技大學(xué)
Dhanu CHETTRIKing -Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
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17:40-17:55
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氧化鎵缺陷的研究、合金工程的電子結(jié)構(gòu)調(diào)制和太陽能光電探測器的發(fā)展
Study of Gallium oxide defects, electronic structure modulation of alloying engineering, and development of solar-blind photodetectors
徐祥宇--廈門大學(xué)
XU Xiangyu--Xiamen University
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（備注：本場會(huì)議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場為準(zhǔn)?。?/span>
部分嘉賓
龍世兵
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授
龍世兵，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲(chǔ)器、超寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學(xué)術(shù)期刊的審稿人。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等國際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，6篇論文入選ESI高引論文。申請專利100余項(xiàng)，其中9項(xiàng)轉(zhuǎn)移給國內(nèi)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國際，74項(xiàng)授權(quán)/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。主持國家自然科學(xué)基金、科技部（863、973、重大專項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃）、中科院、廣東省等資助科研項(xiàng)目20多項(xiàng)。參與獲得國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、中國科學(xué)院杰出科技成就獎(jiǎng)。
王宏興
西安交通大學(xué)教授
王宏興，西安交通大學(xué)教授。2001年至2013年，在日本先后任研究員、高級(jí)研究員、工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人、執(zhí)行董事、首席顧問、研發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人等職務(wù)。在日本期間先后參加和主持了日本通產(chǎn)省，日本學(xué)術(shù)振興機(jī)構(gòu)以及日本有關(guān)大型公司的重大科研項(xiàng)目和產(chǎn)學(xué)研結(jié)合項(xiàng)目。2013年全職回國后，承擔(dān)和主持包括國家基金委重大儀器專項(xiàng)、科技部“863計(jì)劃”、“十三五”重點(diǎn)研發(fā)、國家自然科學(xué)基金、陜西省統(tǒng)籌等項(xiàng)目，相關(guān)研究已初步實(shí)現(xiàn)小規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。王宏興教授在III-V族半導(dǎo)體薄膜外延生長及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質(zhì)量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發(fā)射陰極、場致發(fā)射光源及其他場致發(fā)射電子器件，MOCVD設(shè)計(jì)開發(fā)、特殊直流CVD設(shè)計(jì)開發(fā)、微波等離子體CVD的設(shè)計(jì)開發(fā)等領(lǐng)域做出了許多創(chuàng)新性工作。
葉建東
南京大學(xué)教授
葉建東，南京大學(xué)教授。曾先后就職于新加坡微電子研究所和澳大利亞國立大學(xué)。長期從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料、物理與器件研究，主持和完成國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國家優(yōu)秀青年基金、江蘇省杰出青年基金、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表130余篇，專著1章，申請/授權(quán)發(fā)明專利15/7項(xiàng)。
李曉航
沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)副教授
李曉航，沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)副教授。致力于第三代半導(dǎo)體超寬禁帶材料、器件、物理、設(shè)備的研究，這些領(lǐng)域預(yù)期會(huì)在未來對光電電子通信生化和生命科學(xué)等領(lǐng)域帶來革命性的影響。李曉航教授是半導(dǎo)體深紫外激光研究的先驅(qū)者之一：首次實(shí)現(xiàn)在藍(lán)寶石上低閾值深紫外激光和260nm以下深紫外激光，首次實(shí)現(xiàn)在同一襯底上半導(dǎo)體TE和TM深紫外激光，首次實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體深紫外表面受激輻射。他也在BAlN和Ga2O3等新型第三代半導(dǎo)體研究做出了開創(chuàng)性的成果。他基于物理研究成果創(chuàng)立的Polarization Toolbox軟件已被來自世界各70多個(gè)大學(xué)公司和科研院所所使用，包括UCSB、Cornell、ASML、IMEC、RIKEN、Facebook等。李曉航教授獲得過美國晶體生長協(xié)會(huì)Harold M. Manasevit Young Investigator Award（全球每兩年一名，系第一位中國人獲該獎(jiǎng)），SPIE研究生年度最高獎(jiǎng)（全球每年一名，系第一位中國人獲該獎(jiǎng)），和IEEE Photonics Society研究生年度最高獎(jiǎng)（全球每年十名），佐治亞理工學(xué)院和愛迪生創(chuàng)新基金會(huì)博士生最高獎(jiǎng)（每年一名）。
張洪良
廈門大學(xué)教授
張洪良，廈門大學(xué)教授。2012年獲得牛津大學(xué)無機(jī)化學(xué)博士學(xué)位，2008年新加坡國立大學(xué)碩士學(xué)位，2003年山東大學(xué)本科。2012-2017年先后在美國西北太平洋國家實(shí)驗(yàn)室和劍橋大學(xué)從事博士后工作。研究方向?yàn)椋?）寬禁帶氧化物半導(dǎo)體薄膜外延、能帶調(diào)控及光電探測器件；（2）過渡金屬氧化物薄膜電子結(jié)構(gòu)與光、電、磁、催化性能構(gòu)效關(guān)系研究。迄今在Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Adv. Mater.，J. Am. Chem. Soc., Phys. Rev. B.,等發(fā)表論文150余篇，申請專利11項(xiàng)。主持國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國家自然科學(xué)基金委基金、企業(yè)合作研發(fā)等項(xiàng)目8項(xiàng)。曾獲國家高層次“青年”人才、劍橋大學(xué)Herchel Smith Research Fellowship、臺(tái)灣積體電路制造公司（TMSC）最佳國際研究生科研獎(jiǎng)。
王鋼
中山大學(xué)教授
王鋼，中山大學(xué)教授，半導(dǎo)體照明材料與器件國家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任，中山大學(xué)佛山研究院院長，教育部2007 年度新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點(diǎn)專項(xiàng)（半導(dǎo)體照明專項(xiàng)）總體專家組專家。主要從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體薄膜材料及器件外延制備技術(shù)、電子器件三維異構(gòu)集成芯片3D打印制造技術(shù)、半導(dǎo)體材料高端裝備研發(fā)等方向的研究。
陸洋
香港大學(xué)教授
陸洋，香港大學(xué)教授、香港青年科學(xué)院院士。主要從事微納米力學(xué)研究，特別是對于低維材料的力學(xué)行為及其尺度效應(yīng)的探索，促進(jìn)其在微機(jī)械、機(jī)電系統(tǒng)、納米技術(shù)及先進(jìn)微納制造等實(shí)際應(yīng)用。
張召富
武漢大學(xué)研究員
張召富，武漢大學(xué)研究員。2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授（英國皇家科學(xué)院 / 工程院雙院士）課題組擔(dān)任博士后。主要研究方向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料與器件，具有豐富的第一性原理計(jì)算模擬和器件設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn)， 已經(jīng)在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊發(fā)表 SCI 期刊論文 100 余篇。擔(dān)任多個(gè)期刊青年編委和審稿人。
劉玉懷
鄭州大學(xué)教授
劉玉懷，鄭州大學(xué)教授、日本名古屋大學(xué)客座教授。主要研究方向?yàn)榈锇雽?dǎo)體材料與器件，主持國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專項(xiàng)（基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、河南省科技攻關(guān)項(xiàng)目等12項(xiàng)。發(fā)表論文與會(huì)議報(bào)告215篇，國際會(huì)議邀請報(bào)告12次。日本專利公開1項(xiàng)、授權(quán)中國發(fā)明專利1項(xiàng)、實(shí)用新型項(xiàng)專利1項(xiàng)、軟件著作權(quán)5項(xiàng)。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項(xiàng)。
李強(qiáng)
西安交通大學(xué)副教授
李強(qiáng)，西安交通大學(xué)副教授。從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導(dǎo)體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導(dǎo)體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應(yīng)用。第一發(fā)明人擁有國家授權(quán)發(fā)明專利11項(xiàng)，在國內(nèi)外重要期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇。主持國家及省部級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng)，主講國家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫專著1部。
梁劍波
大阪公立大學(xué)副教授
梁劍波，大阪公立大學(xué)副教授，主要從事常溫條件下異質(zhì)半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體材料與金屬，半導(dǎo)體材料與金剛石間的直接鍵合技術(shù)的研發(fā)，以及鍵合界面電學(xué)，熱學(xué)，原子結(jié)構(gòu)以及結(jié)合狀態(tài)特性的研究。主持并參與多項(xiàng)日本國家重大科研和新型產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等研究項(xiàng)目。2015年 4月1日-2019 年3月31日，任職于日本大阪市立大學(xué) 工學(xué)研究科電子信息系專業(yè)講師，從事單晶剛石基板和晶剛石半導(dǎo)體器件的研發(fā)，應(yīng)用等離子接合技術(shù)制作高效率大功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)；2017年3月1日-2017年8月31日，任職于英國布里斯托大學(xué)物理研究所問研究員，從事大功率氮化鎵半導(dǎo)體器件的研發(fā)
王若錚
西安交通大學(xué)副教授
王若錚，西安交通大學(xué)副教授。主要從事超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石單晶材料及電子器件的研究工作，包括高質(zhì)量單晶金剛石外延生長，金剛石P/N型調(diào)制摻雜及載流子輸運(yùn)機(jī)理，金剛石功率器件，金剛石微觀結(jié)構(gòu)及材料缺陷等相關(guān)研究。主持國家自然科學(xué)基金，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題，軍科委xx主題項(xiàng)目、xx基金項(xiàng)目，GF重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金等，作為骨干參與了國家自然科學(xué)基金重大儀器專項(xiàng)、面上項(xiàng)目，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃國際合作項(xiàng)目，裝發(fā)xx技術(shù)項(xiàng)目，軍科委xx重點(diǎn)課題，陜西省重點(diǎn)研發(fā)課題等。已發(fā)表SCI論文30余篇。
張法碧
桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長、教授
張法碧，桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長、教授。研究領(lǐng)域：微電子與固體電子學(xué)。研究方向：紫外探測材料器件、寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、二維材料與器件、透明氧化物薄膜與器件、功率器件。“廣西E層次人才”，"廣西創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范"，廣西高校引進(jìn)海外高層次人才“百人計(jì)劃”，“廣西高等學(xué)校千名中青年骨干教師培育計(jì)劃”人選，“日本文部科學(xué)省獎(jiǎng)學(xué)金”獲得者，主持國家自然科學(xué)基金地區(qū)項(xiàng)目一項(xiàng)，參與兩項(xiàng)；主持廣西中青年基礎(chǔ)能力提升項(xiàng)目一項(xiàng)；主持廣西重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任基金項(xiàng)目三項(xiàng)；參與廣西自然科學(xué)基金兩項(xiàng)。在日本攻讀博士學(xué)位和從事訪問學(xué)者期間主要從事氧化物半導(dǎo)體薄膜的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的研究。
李培剛
北京郵電大學(xué)教授
李培剛，北京郵電大學(xué)教授。2007年3月到2009年6月，作為洪堡學(xué)者（Humboldt Fellow）在德國于利希研究中心工作，2009年7月至2010年8月作為瑪麗居里學(xué)者（Marie-Curie Fellow），在希臘激光與電子結(jié)構(gòu)研究所和意大利技術(shù)研究所工作。2016年3月至2018年8月，作為訪問學(xué)者，在美國杜蘭大學(xué)物理系進(jìn)行合作研究。主持國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，省自然科學(xué)基金，橫向課題等科研項(xiàng)目10余項(xiàng)。發(fā)表或合作發(fā)表SCI收錄論文160余篇，被引用3近2000次。獲得授權(quán)發(fā)明專利20余項(xiàng)。
Daniela GOGOVA
瑞典林雪平大學(xué)
殷紅
吉林大學(xué)教授
更多論壇進(jìn)展信息，敬請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！
附論壇詳細(xì)信息：
會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日
會(huì)議地點(diǎn) :中國· 福建 ·廈門國際會(huì)議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業(yè)和信息化局
廈門市科學(xué)技術(shù)局
廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)
惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏
程序委員會(huì) ：
程序委員會(huì)主席團(tuán)
主席：
張 榮--中國科學(xué)院院士，廈門大學(xué)黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明--中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風(fēng)益--中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長、教授
李晉閩--中國科學(xué)院特聘研究員
張國義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授
沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長
盛 況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
張 波--電子科技大學(xué)教授
陳 敬--香港科技大學(xué)教授
徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授
張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授
日程總覽：
備注：更多同期活動(dòng)正在逐步更新中！
注冊參會(huì)：
備注：11月15日前注冊報(bào)名，享受優(yōu)惠票價(jià)！
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場報(bào)到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的5%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議：碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)，氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)，碳化功率器件及其封裝技術(shù)I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ；
＊SSL技術(shù)會(huì)議：光品質(zhì)與光健康醫(yī)療技術(shù)，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù)，半導(dǎo)體照明芯片、封裝及光通信技術(shù)，氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)，光農(nóng)業(yè)與生物技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ；
＊IFWS會(huì)議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會(huì)議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
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賈先生
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jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
協(xié)議酒店：
