寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”將于西安召開。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業(yè)網（www.ybx365.cn）、第三代半導體產業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，中國科學院微電子研究所研究員黃森帶來《Si基GaN功率器件制備技術與集成》的主題報告，分享最新技術研究進展與成果。

報告中介紹，美國國防部高級研究計劃局（DARPA）將GaN列為改變世界的13大技術之一。國家十四五規(guī)劃“集成電路”專欄明確要求發(fā)展碳化硅，氮化鎵等寬禁帶半導體。發(fā)展GaN等功率半導體對推進 “碳達峰&碳中和”戰(zhàn)略提供重要技術支撐。

報告中指出，高頻低壓最能體 現 GaN 的高效優(yōu)勢！低壓是GaN基異質結功率器件的未來優(yōu)勢領域，大尺寸Si基AlGaN/GaN增強型MIS-HEMT是GaN低壓功率芯片的發(fā)展趨勢。超薄勢壘Si基GaN技術是實現GaN基功率集成的良好平臺。

研究基于超薄勢壘AlGaN(<6nm)/GaN異質結構，實現了無需刻蝕AlGaN的本征增強型MIS-HEMT，器件具有高閾值(~2.7 V)、良好的閾值均勻性以及較低的關態(tài)漏電，突破了P-GaN增強型HEMT的閾值瓶頸。

基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質結構平臺實現了E/D模n溝道MIS-HEMT，低開啟電壓功率二極管，以及高擊穿電壓p/n溝道增強型MOSFET，為全GaN功率和射頻器件、數字/驅動電路的單片集成奠定了基礎；Si基超薄勢壘MIS-HEMT技術路線是未來GaN智能功率超越摩爾發(fā)展的良好選擇。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導體產業(yè)網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產業(yè)發(fā)展熱點，聚合產業(yè)相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業(yè)發(fā)展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>