隨著近年逐步開(kāi)始商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化，功率半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)迎來(lái)了新的發(fā)展賽道，并逐步形成與行業(yè)應(yīng)用緊密相關(guān)的新發(fā)展趨勢(shì)。尤其是IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模從2015年的約150億美元增長(zhǎng)到2021年的近220億美元。IGBT產(chǎn)業(yè)鏈逐漸完善，包括IGBT芯片設(shè)計(jì)與制造、封裝測(cè)試、模塊組裝等環(huán)節(jié)。各個(gè)環(huán)節(jié)的企業(yè)積極開(kāi)展研發(fā)合作和技術(shù)創(chuàng)新，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。

為推動(dòng)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、勵(lì)展博覽集團(tuán)聯(lián)合主辦，2023先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月20日-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國(guó)際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì))期間，在上海世博展覽館舉辦。

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所副主任設(shè)計(jì)師李赟受邀將出席論壇，并帶來(lái)《適用于萬(wàn)伏級(jí)IGBT器件研制的4H-SiC外延材料生長(zhǎng)技術(shù)》的主題報(bào)告，分享最新研究成果與技術(shù)進(jìn)展。

欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果，敬請(qǐng)關(guān)注論壇，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流，共商合作事宜。

李赟，博士，正高級(jí)工程師。主要從事SiC材料外延工作。先后承擔(dān)或參與“863"、“973”、“核高基”和重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等重大科研項(xiàng)目，突破大尺寸低缺陷SiC外延關(guān)鍵技術(shù)，建立外延工藝平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)SiC外延材料自主保障供應(yīng)?；谧灾餮邪l(fā)的材料, 實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET系列產(chǎn)品批產(chǎn)；研制了國(guó)內(nèi)首個(gè)20kV n溝道IGBT芯片研制成功。發(fā)表科技論文8篇(第一作者)，授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)(第一發(fā)明人)，其中2項(xiàng)PCT專(zhuān)利分別獲歐盟及韓國(guó)授權(quán)。牽頭編制行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)(已發(fā)布)。獲得國(guó)防科技進(jìn)步獎(jiǎng)1次，電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)1次。

論壇信息

時(shí)間：7月20日-21日

地點(diǎn)：上海世博展覽館·NEPCON論壇區(qū)

主辦單位：

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)

勵(lì)展博覽集團(tuán)

承辦單位：

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

報(bào)告議題（擬）：

參會(huì)/商務(wù)咨詢(xún)

賈先生（Frank）

18310277858

jiaxl@casmita.com

張女士（Vivian）

13681329411

zhangww@casmita.com