半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)將于2023年5月28-6月1日在中國(guó)香港舉辦。香港科技大學(xué)陳敬(Kevin J. Chen)教授擔(dān)任本屆大會(huì)主席（General Chair）。
ISPSD從1988年至今，已經(jīng)有30多年的歷史。30多年來(lái)，ISPSD極大的推動(dòng)了全球功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路的發(fā)展。
作為IEEE旗下的功率半導(dǎo)體旗艦會(huì)議，ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應(yīng)用等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的所有方面，是功率器件領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的頂級(jí)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議，也是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國(guó)際上最重要、影響力最強(qiáng)的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議，它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會(huì)議，一直以來(lái)都是國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)和全球知名學(xué)術(shù)科研機(jī)構(gòu)爭(zhēng)相發(fā)表和展示功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)重要成果的舞臺(tái)。
今年，香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任“第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(ISPSD 2023)”大會(huì)主席。他曾在國(guó)際期刊和會(huì)議論文集中發(fā)表500余篇論文，其中包括國(guó)際電子器件會(huì)議IEDM發(fā)表28次. 在GaN電子器件技術(shù)方面曾獲得11項(xiàng)美國(guó)專利授權(quán)。他所帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)目前的研究重點(diǎn)在于開(kāi)發(fā)用于功率電子、射頻/微波及耐惡劣環(huán)境電子等方面的GaN器件及集成電路技術(shù)。
陳敬教授是IEEE Fellow，2013年陳敬教授曾擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》“GaN電子器件”特刊的特邀編委。此外，他還擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》、《IEEE微波理論與技術(shù)匯刊》及《日本應(yīng)用物理雜志》的編輯。
陳敬教授曾于2019年擔(dān)任在上海舉辦的IEEE第31屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)ISPSD2019的（Technical Program Committee，TPC）技術(shù)委員會(huì)主席，今年擔(dān)任 ISPSD 2023大會(huì)主席（General Chair）。
值得關(guān)注的是，隨著中國(guó)功率半導(dǎo)體器件及集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，ISPSD 2019會(huì)議在2019年5月20-25在上海成功召開(kāi)。曾由浙江大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，由中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)技術(shù)主辦，IEEE電氣和電子工程師協(xié)會(huì)、IEEE電子器件學(xué)會(huì)、IEEE電力電子協(xié)會(huì)、IEEE工業(yè)應(yīng)用協(xié)會(huì)和日本電氣工程師協(xié)會(huì)協(xié)辦。大會(huì)共收到論文299篇，其中oral paper的錄取率為16%。ISPSD2019由浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任大會(huì)主席（General Chair），電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任大會(huì)副主席（Vice General Chair）；香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任技術(shù)程序委員會(huì)（Technical Program Committee，TPC）主席。
ISPSD 2019是該會(huì)議自1988年發(fā)起以來(lái)首次在中國(guó)大陸舉辦，標(biāo)志著中國(guó)大陸電力電子器件的研究和產(chǎn)業(yè)水平在國(guó)際上產(chǎn)生了越來(lái)越重要的影響力，也說(shuō)明中國(guó)大陸學(xué)者在電力電子領(lǐng)域扮演和承擔(dān)著重要的角色。
同時(shí)，這是ISPSD會(huì)議舉辦35年以來(lái)第三次在中國(guó)召開(kāi)，第一次是2015年在香港，第二次是2019年在上海。今年ISPSD 2023選擇在中國(guó)香港舉辦，更加體現(xiàn)了中國(guó)學(xué)者在電力電子領(lǐng)域所做的努力和貢獻(xiàn)！
正如，大會(huì)主席陳敬教授在致辭中所言，ISPSD 2023即將來(lái)到香港，這個(gè)全球金融中心和文化大熔爐為每個(gè)人提供了一些東西。香港位于中國(guó)大灣區(qū)的中心地帶，是一座充滿活力的現(xiàn)代化城市，融合了世界文化和自然美景，為與會(huì)者提供了多種探索機(jī)會(huì)。
—— ISPSD 2023 會(huì)議議題——
ISPSD 2023會(huì)議議題分為以下六個(gè)方向：高壓功率器件（High Voltage Power Devices）、低壓功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）、 功率集成電路（Power IC Design）、氮化鎵與化合物材料：器件和技術(shù)（GaN and Compound Materials: Device and technology）、碳化硅與其他材料（SiC and Other Materials）、模塊與封裝工藝（Module and Package Technologies）。
在六大議題中，以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體（也就是中國(guó)大陸常說(shuō)的第三代半導(dǎo)體）器件以其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在近年來(lái)引發(fā)了國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的關(guān)注，在材料生長(zhǎng)、制造工藝與應(yīng)用等領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，被認(rèn)為是下一代電力電子器件和功率集成電路的重要發(fā)展方向。憑借其優(yōu)異的性能（如更高的擊穿電壓、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率和更優(yōu)異的抗輻射能力），寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件在新能源汽車、分布式并網(wǎng)、新型直流輸配電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、航空航天和消費(fèi)類電子等諸多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景。
—— 論文入選情況 ——
據(jù)芯思想統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，ISPSD 2023共收到233篇論文，經(jīng)過(guò)技術(shù)委員會(huì)評(píng)審，共錄取104篇，包括口頭報(bào)告43篇，海報(bào)張貼61篇（有一篇取消），實(shí)際103篇。
入選的103篇論文來(lái)自12個(gè)國(guó)家的機(jī)構(gòu)，按國(guó)家入選數(shù)量統(tǒng)計(jì)排名（按第一作者所在國(guó)家統(tǒng)計(jì)），中國(guó)是入選論文數(shù)量最多的國(guó)家，口頭報(bào)告12篇，海報(bào)張貼33篇，共入選45篇論文。日本入選論文數(shù)量排名第二，美國(guó)第三，德國(guó)第四，瑞士和意大利并列第五，法國(guó)第七，奧地利和加拿大并列第八，英國(guó)、韓國(guó)、馬來(lái)西亞并列第十。
——中國(guó)入選論文情況 ——
據(jù)芯思想統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年ISPSD 2023，中國(guó)是入選論文數(shù)量最多的國(guó)家，共入選45篇論文，其中入選口頭報(bào)告12篇（內(nèi)地10篇，中國(guó)香港2篇），占比27.91%；入選海報(bào)張貼33篇（內(nèi)地27篇，中國(guó)香港3篇，中國(guó)臺(tái)灣2篇，中國(guó)澳門1篇），占比54.10%。
2023年中國(guó)共有16家機(jī)構(gòu)有論文入選ISPSD，澳門大學(xué)和西交-利物浦大學(xué)是第一次有論文入選。
電子科技大學(xué)共有15篇論文入選，功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室入選（PITeL）13篇，其他2篇來(lái)自新器件研究室。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITeL）以口頭報(bào)告4篇，9篇海報(bào)論文，合計(jì)13篇一作論文入選ISPSD2023，再次摘取團(tuán)隊(duì)論文數(shù)量第一名！這是團(tuán)隊(duì)自2017年以來(lái)，第六次（2017年、2018年、2019年、2020年、2022年、2023年）獲得一作論文錄取數(shù)第一名！功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITeL）的13篇論文分布在氮化鎵（GaN）專題1篇，高壓功率器件（HV）專題4篇，功率集成設(shè)計(jì)（ICD）專題2篇，低壓功率器件（LVT）專題 4篇，碳化硅（SiC）專題2篇；其中涉及氮化鎵（GaN）相關(guān)研究進(jìn)展3篇。電子科技大學(xué)新器件研究室2篇海報(bào)論文的一作是程駿驥副教授。程駿驥博士在中國(guó)科學(xué)院院士、IEEE FELLOW陳星弼先生指導(dǎo)下于2012年2013年連續(xù)在ISPSD發(fā)表2篇論文。
香港科技大學(xué)入選2篇口頭報(bào)告和3篇海報(bào)論文，共計(jì)5篇入選。其中陳敬教授團(tuán)隊(duì)4篇，都是氮化鎵（GaN）的相關(guān)研究進(jìn)展；單建安教授團(tuán)隊(duì)1篇快恢復(fù)二極管（FRD）的相關(guān)研究進(jìn)展。
北京大學(xué)有1篇口頭報(bào)告和2篇海報(bào)論文，共計(jì)3篇入選，都是氮化鎵（GaN）相關(guān)論文，是集成電路學(xué)院魏進(jìn)、王茂俊課題組與物理學(xué)院沈波、楊學(xué)林課題組合作的工作成果。
南方科技大學(xué)有1篇口頭報(bào)告和2篇海報(bào)論文，共計(jì)3篇入選，都是來(lái)自化夢(mèng)媛課題組的氮化鎵（GaN）相關(guān)的工作成果。
中國(guó)科技大學(xué)入選2篇口頭報(bào)告，1篇是氮化鎵（GaN）相關(guān)論文，1篇是氧化鎵（Ga2O3）相關(guān)論文，都來(lái)自龍世兵、徐光偉課題組的工作成果。
南京大學(xué)入選1篇口頭報(bào)告和1篇海報(bào)論文，共計(jì)2篇入選?？陬^報(bào)告是來(lái)自陸海課題組氮化鎵（GaN）相關(guān)的工作成果，海報(bào)論文是來(lái)自葉建東課題組有關(guān)氧化鎵（Ga2O3）異質(zhì)結(jié)的工作成果。
西安電子科技大學(xué)入選1篇口頭報(bào)告和1篇海報(bào)論文，來(lái)自西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士團(tuán)隊(duì)馬曉華教授、李園副教授課題組的相關(guān)工作成果，分別介紹了增強(qiáng)型氧化鎵（β-Ga2O3）金屬異質(zhì)結(jié)復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)晶體管和熱電協(xié)同設(shè)計(jì)的氧化鎵（Ga2O3）溝槽二極管的相關(guān)研究進(jìn)展。
浙江大學(xué)入選2篇海報(bào)論文，1篇是楊樹(shù)教授課題組的氮化鎵（GaN）的相關(guān)研究進(jìn)展，1篇是盛況教授、任娜研究員課題組碳化硅（SiC）的相關(guān)研究進(jìn)展，都來(lái)自電氣工程學(xué)院。
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所入選2篇海報(bào)論文，都來(lái)自劉新宇團(tuán)隊(duì)黃森、蔣其夢(mèng)課題組有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
安徽大學(xué)入選2篇海報(bào)論文，1篇是氮化鎵（GaN）相關(guān)論文，1篇是碳化硅（SiC）相關(guān)論文，都是物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組合作的工作成果。這是安微大學(xué)繼2022年后連續(xù)第二年有論文入選。
東南大學(xué)入選2篇海報(bào)論文，都來(lái)自功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室孫偉鋒教授團(tuán)隊(duì)，一篇是GaN功率IC，一篇是關(guān)于SOI-BCD。
深圳大學(xué)入選1篇海報(bào)論文，來(lái)自材料學(xué)院劉新科研究員團(tuán)隊(duì)有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
澳門大學(xué)入選1篇海報(bào)論文，來(lái)自澳門大學(xué)模擬與混合信號(hào)超大規(guī)模集成電路國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室路延副教授課題組有關(guān)功率集成設(shè)計(jì)（ICD）的最新研究成果。這是澳門大學(xué)在ISPSD會(huì)議上入選的第一篇論文。
西交利物浦大學(xué)入選1篇海報(bào)論文，這是西交利物浦大學(xué)在ISPSD會(huì)議上入選的第一篇論文，來(lái)自劉雯副教授團(tuán)隊(duì)有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
臺(tái)灣陽(yáng)明交通大學(xué)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)學(xué)院入選1篇海報(bào)論文是有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
臺(tái)灣清華大學(xué)入選1篇海報(bào)論文是關(guān)于碳化硅（SiC）的相關(guān)研究進(jìn)展。
—— ISPSD 2023 程序委員會(huì)——
ISPSD 2023大會(huì)由香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任大會(huì)主席（General Chair）；臺(tái)積電蔡俊林（Tom J.-L Tsai）擔(dān)任技術(shù)程序委員會(huì)（Technical Program Committee，TPC）主席，浙江大學(xué)楊樹(shù)教授擔(dān)任短期課程（Short Course Chair）主席。
ISPSD 2023技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）共有60位委員，其中華裔委員共有18位，占30%；他們分別是大會(huì)主席陳敬（香港科技大學(xué)）、TPC主席Tom Tsai（臺(tái)積電TSMC）、高壓功率器件分議題主席Fred Fu傅玥（加拿大Xiinergy Systems），其他華裔委員還有湯藝（女，斯達(dá)半導(dǎo)體）、喬明（電子科技大學(xué)）、Kuo Ming Wu（臺(tái)積電）、Xin Lin（美國(guó)NXP）、明鑫（成電）、Weijia Zhang（女，加拿大ADI）、Leon Wang（豪威）、楊樹(shù)（女，浙大）、周弘（西電）、Roy K.-Y. Wong黃敬源（英諾賽科）、Tom J.-L Tsai蔡俊林（臺(tái)積電）、Huili Grace Xing（女，美國(guó)康奈爾大學(xué)）、柏松Song Bai（中電科55所）、Chih-Fang Huang黃智方（臺(tái)灣清華大學(xué)）、Cheng-Tyng Yen顏誠(chéng)廷（即思創(chuàng)意FSS）、Wei-Chung Lo駱韋仲（臺(tái)灣工研院ITRI）、Yang Xu（特斯拉），其中喬明、Xin Lin、Leon Wang、周弘、黃敬源、顏誠(chéng)延是本次新增委員。
—— 參會(huì)報(bào)名——
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com
備注：根據(jù)ISPSD 2023官方公布信息、芯思想等公開(kāi)信息整理，一切以會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
ISPSD2023-Short-Course-bio-abstract-20230411.pdf
ISPSD2023-Short-Course-Schedule-20230412.pdf
