半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：由富樂華半導(dǎo)體科技研發(fā)的活性釬焊（AMB）氮化硅覆銅陶瓷基板突破國外技術(shù)長期壟斷，一舉填補我國功率半導(dǎo)體行業(yè)空白。在近日舉行的科技工作者日慶?；顒由?，該企業(yè)研發(fā)團隊榮獲優(yōu)秀科技創(chuàng)新團隊稱號。

半導(dǎo)體器件不斷向大功率、小型化、集成化和多功能方向迅猛邁進，對封裝基板的性能也提出非?？量痰囊?。陶瓷基板在這個過程中成為一項廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)材料，其中的尖端技術(shù)AMB氮化硅覆銅陶瓷基板備受日本功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域控制。富樂華自2019年起在博士團隊帶領(lǐng)下加大自主研發(fā)力度，攻克技術(shù)壁壘，實現(xiàn)彎道超車，成功開發(fā)出獨具高熱導(dǎo)、耐高溫和較低熱膨脹系數(shù)，且機械強度高、耐腐蝕絕緣性好、抗輻射能力強的AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，為創(chuàng)建富樂華功率半導(dǎo)體研究院，夯實鏈主企業(yè)地位營造了強大磁場效應(yīng)。

 

富樂華科技創(chuàng)新團隊擁有6名博碩精英人才，由王斌博士領(lǐng)銜研發(fā)。該團隊先后獲得11項發(fā)明專利授權(quán)，研發(fā)的系列化試制產(chǎn)品已通過全球40余家企業(yè)樣品認證，使一條又一條擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的自動化生產(chǎn)線迅速形成，產(chǎn)品各項性能均達到世界先進水平，有力提升了我國功率半導(dǎo)體模塊器件領(lǐng)域在國際市場上的核心競爭力和話語權(quán)。該團隊領(lǐng)銜博士先后榮獲省雙創(chuàng)人才、蘇北發(fā)展特聘專家等稱號。

 

據(jù)了解，富樂華功率半導(dǎo)體研究院項目由江蘇富樂華半導(dǎo)體科技股份有限公司全額投資建設(shè)，其主要產(chǎn)品DCB覆銅陶瓷載板、AMB活性金屬釬焊載板產(chǎn)品技術(shù)、市場份額均位居國內(nèi)第一、國際一流，獲批鹽城唯一省首席數(shù)據(jù)官試點、鹽城潛在獨角獸企業(yè)。公司聯(lián)合中科院硅酸鹽研究所、香港科技大學、電子科技大學建立研究院，對功率半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)材料進行研究攻關(guān)，解決半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)材料“卡脖子”難題。

2021年12月29日，江蘇富樂華功率半導(dǎo)體研究院竣工?？偼顿Y2億元，占地31.2畝。購置高分辨場發(fā)射SEM、TDM熱翹曲分析儀、多功能氬離子刻蝕、紅外傅里葉光譜儀、電子陶瓷流延機、磁控濺射機、紫外光刻機等先進檢測分析測試及實驗設(shè)備。建設(shè)分析測試中心、材料結(jié)構(gòu)及失效分析實驗室、先進連接技術(shù)實驗室、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計及模擬實驗室和中試車間。目前科研主樓、報告廳、實驗室等已投入使用，研發(fā)人員已入駐辦公。全面運營后每年可實現(xiàn)科技成果轉(zhuǎn)化2-3件。