日前，盛美半導(dǎo)體發(fā)布了一款300mm晶圓單片SPM（硫酸和過(guò)氧化氫混合酸）設(shè)備。

圖片來(lái)源：盛美半導(dǎo)體官微

 

盛美半導(dǎo)體設(shè)備官微顯示，300mm晶圓單片SPM設(shè)備可廣泛應(yīng)用于先進(jìn)邏輯、DRAM，3D-NAND等集成電路制造中的濕法清洗和刻蝕工藝，尤其針對(duì)處理高劑量離子注入后的光刻膠（PR）去除工藝，以及金屬刻蝕、剝離工藝。該新設(shè)備拓展了盛美半導(dǎo)體的SPM工藝產(chǎn)品，覆蓋了高溫SPM的工藝步驟，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到10nm及以下，這些步驟數(shù)量將越來(lái)越多。

 

據(jù)官微介紹，新型單片高溫SPM設(shè)備使用獨(dú)特的多級(jí)梯度加熱系統(tǒng)來(lái)預(yù)熱硫酸，將硫酸與過(guò)氧化氫混合以達(dá)到超高溫。同時(shí)，盛美半導(dǎo)體腔體支持配置其他多種化學(xué)品，并配備在線化學(xué)品混酸（CIM）系統(tǒng)，可用于動(dòng)態(tài)設(shè)置工藝中的化學(xué)品配比及溫度。該腔體配置還可支持更多的化學(xué)品和靈活的輔助清洗方案，比如盛美半導(dǎo)體獨(dú)有的專利技術(shù)SAPS和TEBO兆聲波技術(shù)。

 

盛美半導(dǎo)體董事長(zhǎng)王暉表示，單片SPM設(shè)備是在Ultra C Tahoe設(shè)備基礎(chǔ)上而開發(fā)。開發(fā)的單片SPM設(shè)備，對(duì)Tahoe設(shè)備已被驗(yàn)證的工藝能力做了進(jìn)一步補(bǔ)充，增加了高溫SPM工藝能力，也進(jìn)一步豐富了濕法產(chǎn)品系列。

 

王暉進(jìn)一步表示，公司將以成為全球主要的清洗解決方案供應(yīng)商為目標(biāo)，會(huì)繼續(xù)開發(fā)新的工藝能力，包括先進(jìn)的高溫IPA干燥技術(shù)和超臨界二氧化碳干燥技術(shù)。