此外，昭和電工表示，雙方將進(jìn)一步加強(qiáng)技術(shù)合作，以提高SiC外延片的特性均勻性和低缺陷密度”）。

 

昭和電工表示，“作為全球最大的碳化硅外延片制造商，我們以‘一流’為座右銘，為快速擴(kuò)張的市場(chǎng)提供高性能和高可靠性的產(chǎn)品，并減少產(chǎn)生的功率損耗和熱量。”推廣節(jié)能型碳化硅功率半導(dǎo)體。”

 

 

今年八月，昭和電工宣布，將藉由公募增資、第三者配額增資籌措約1,100億日?qǐng)A資金，其中約700億日?qǐng)A將用于擴(kuò)增SiC晶圓等半導(dǎo)體材料產(chǎn)能。

 

昭和電工指出，藉由公募增資、第三者配額增資，以及視需求動(dòng)向?qū)?shí)施超額配售(Over allotment)，預(yù)估最高將發(fā)行3,519萬(wàn)股新股、約相當(dāng)于現(xiàn)行已發(fā)行股數(shù)的2成比重，最高將籌得1,093億日?qǐng)A資金。

 

在上述1,093億日?qǐng)A資金中、約700億日?qǐng)A將用于增產(chǎn)半導(dǎo)體材料。就細(xì)項(xiàng)來(lái)看，昭和電工計(jì)劃投資58億日?qǐng)A增產(chǎn)使用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓以及鋰離子電池材料、增產(chǎn)工程預(yù)計(jì)于2023年12月完工；投資59億日?qǐng)A增產(chǎn)電子材料用高純度氣體、預(yù)計(jì)2023年12月完工；投資232億日?qǐng)A提高研磨液(CMP Slurry)產(chǎn)能及改善質(zhì)量、預(yù)估2023年12月完工；投資248億日?qǐng)A增產(chǎn)使用于印刷電路板(PCB)的銅箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜，預(yù)計(jì)2024年3月完工。

 

日本市調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月10日公布調(diào)查報(bào)告指出，自2021年以后，在汽車/電子設(shè)備需求加持下，預(yù)估碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以每年近20%的速度呈現(xiàn)增長(zhǎng)，2030年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估為2,490億日?qǐng)A、將較2020年跳增3.8倍(成長(zhǎng)約380%)。

 

其中，因汽車/電子設(shè)備需求加持，來(lái)自中國(guó)、北美、歐洲的需求揚(yáng)升，預(yù)估2030年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至1,859億日?qǐng)A、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大至166億日?qǐng)A、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估為465億日?qǐng)A。

 

 

據(jù)日經(jīng)在年初的報(bào)道，日本各家電子零件廠加快對(duì)EV相關(guān)零件進(jìn)行增產(chǎn)投資，其中Rohm計(jì)劃在今后5年內(nèi)投資600億日?qǐng)A、將使用于EV的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的5倍。

 

報(bào)導(dǎo)指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的研發(fā)上居領(lǐng)先，于全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)握有2成市占率，和英飛凌( Infineon )、STMicroelectronics并列為全球主要供應(yīng)商之一，而其產(chǎn)能擴(kuò)增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生產(chǎn)的半導(dǎo)體材料也以經(jīng)由汽車零件廠的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)上。

 

早在幾年前，羅姆就規(guī)劃將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內(nèi)興建新廠房，預(yù)計(jì)于2019年2月動(dòng)工、2020年12月完工。按照羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略說(shuō)明會(huì)上表示，公司將投資約200億日?qǐng)A，于2020年倍增SiC電源控制芯片產(chǎn)能，而羅姆也考慮于宮崎縣進(jìn)行增產(chǎn)投資，在2025年3月底前累計(jì)將投資600億日?qǐng)A，屆時(shí)將SiC電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴(kuò)增至2016年度16倍。

 

而在早前，ROHM最近舉行了開(kāi)幕式，宣布將于2019年2月開(kāi)始在ROHM Apollo的Chikugo工廠完成新建筑的竣工，以增強(qiáng)SiC功率器件的生產(chǎn)能力。

 

新大樓是一家最先進(jìn)的環(huán)保工廠，其生產(chǎn)設(shè)施采用了許多節(jié)能技術(shù)，其中100％的電力來(lái)自可再生能源。

 

此外，我們通過(guò)引入各種災(zāi)難對(duì)策來(lái)增強(qiáng)BCM（業(yè)務(wù)連續(xù)性管理）系統(tǒng)。從2021年1月起，我們將開(kāi)始安裝生產(chǎn)設(shè)備并構(gòu)建能夠滿足SiC功率器件中長(zhǎng)期增長(zhǎng)需求的制造系統(tǒng)。

 

據(jù)報(bào)道，自2010年以來(lái)，ROHM一直在大量生產(chǎn)包括SiC SBD和MOSFET在內(nèi)的SiC功率器件，該公司在技術(shù)開(kāi)發(fā)方面繼續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，例如推出了業(yè)界首款全SiC功率模塊和SiC溝槽MOSFET。同時(shí)，羅姆擁有一個(gè)集成的生產(chǎn)系統(tǒng)，致力于通過(guò)增加硅片直徑和利用最新設(shè)備來(lái)提高生產(chǎn)效率，同時(shí)還減少了制造對(duì)環(huán)境的影響。

 

除了這棟新建筑外，羅姆集團(tuán)旗下生產(chǎn)SiC硅片的SiCrystal GmbH計(jì)劃從下一個(gè)財(cái)年開(kāi)始使用100％可再生能源運(yùn)營(yíng)，從而將工廠購(gòu)買的電力所產(chǎn)生的CO 2排放量降至零。結(jié)果，所有主要的SiC芯片生產(chǎn)工藝都將使用環(huán)保的可再生能源。

 

除了羅姆外，其他日本廠商也都在投入到電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)中。

 

據(jù)了解，富士電機(jī)( Fuji Electric )將投資約1,200億日?qǐng)A擴(kuò)增日本國(guó)內(nèi)外工廠產(chǎn)能、增產(chǎn)功率半導(dǎo)體；東芝( Toshiba )計(jì)劃在2023年度結(jié)束前投資約800億日?qǐng)A、將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高3成；日本電產(chǎn)( Nidec )將砸下2,000億日?qǐng)A在歐洲興建EV用驅(qū)動(dòng)馬達(dá)新工廠。TDK將在三年內(nèi)投資超過(guò)5,200億日元，以增加蓄電池和其他產(chǎn)品的產(chǎn)量。

 

日廠增產(chǎn)EV相關(guān)零件，主要是因?yàn)槿蚋鲊?guó)推出減碳政策、推升EV需求。根據(jù)波士頓顧問(wèn)集團(tuán)(Boston Consulting Group；BCG)的試算，2025年EV等電動(dòng)化車款占全球新車銷售量比重有望自2020年的10%揚(yáng)升至31%水準(zhǔn)。

 

日本市調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)2020年6月5日公布調(diào)查報(bào)告指出，2030年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)增至4兆2,652億日?qǐng)A、將較2019年(2兆9,141億日?qǐng)A)大增46.4%。

 

其中，2030年碳化硅(SiC)制功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)增至2,009億日?qǐng)A、將達(dá)2019年(436億日?qǐng)A)的4.6倍；氮化鎵( GaN )產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估為232億日?qǐng)A、將達(dá)2019年(19億日?qǐng)A)的12.2倍。