SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。自從10納米級DRAM產(chǎn)品開始，半導體業(yè)內將每一代工藝節(jié)點都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點。公司的第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移動端 DRAM（動態(tài)隨機存儲器）產(chǎn)品已經(jīng)在今年7月初開始量產(chǎn)。這是 SK 海力士首次采用 EUV 技術進行 DRAM 產(chǎn)品的量產(chǎn)。SK 海力士預計從下半年開始向智能手機廠商供應采用 1a 納米級技術的移動端 DRAM。

 

北京八億時空液晶科技股份有限公司發(fā)布公告，浙江上虞電子材料基地項目由公司的全資子公司浙江八億時空先進材料有限公司實施建設，預計總投資約 168,000 萬元，其中擬使用超募資金（含利息）47,000萬元向浙江八億時空增資，不足部分由公司以自有資金或自籌資金補足。

 

新項目擬在杭州灣上虞經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)購置土地約268畝，新建合成車間、潔凈車間、精餾、加氫車間、包裝、庫房、研發(fā)中心、分析測試中心、中控室及配套附屬設施用房等建筑（構筑物）面積約19.2萬平方米，采用企業(yè)自主研發(fā)的先進工藝技術，實現(xiàn)液晶材料、OLED 材料、聚酰亞胺（MPI 等）漿 料、平板顯示用光刻膠、半導體光刻膠及半導體用光刻膠樹脂等的綠色化生產(chǎn)。項目建成投產(chǎn)后，可達到液晶材料 300t/a，OLED 材料 40t/a，聚酰亞胺（MPI 等）漿料 2000t/a，平板顯示用光刻膠 4000 t/a，半導體光刻膠 150 t/a，半導體用光刻膠樹脂 50t/a 的生產(chǎn)能力。

 

7月9日，深圳市英唐智能控制股份有限公司與 Hulu MT. PEAK LLC簽訂《合作協(xié)議》，就HuLu公司協(xié)助英唐智控在國內籌建6英寸碳化硅生產(chǎn)線提供產(chǎn)線建設、設備選型規(guī)劃、產(chǎn)品需求及工藝技術支持等內容進行了約定。

 

近日，華為新成立一家全資子公司——超聚變技術有限公司。2021年7月8月日，超聚變技術有限公司（以下簡稱“超聚變公司”）注冊成立，注冊資本7.72億元人民幣，法定代表人鄭麗英，注冊地址位于中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)。根據(jù)股東信息，超聚變由華為技術有限公司100%持股。據(jù)企查查資料，新成立的超聚變公司經(jīng)營范圍包括信息系統(tǒng)集成服務；計算機軟硬件及外圍設備制造；信息安全設備制造；通信設備制造；智能家庭網(wǎng)關制造；互聯(lián)網(wǎng)設備制造；人工智能應用軟件開發(fā)；人工智能理論與算法軟件開發(fā)；集成電路設計；智能控制系統(tǒng)集成等業(yè)務。

 

近日，禾賽科技宣布與理想汽車達成基于車規(guī)級混合固態(tài)激光雷達的合作。禾賽科技表示，此次合作基于禾賽最新一代高度芯片化的車規(guī)級混合固態(tài)激光雷達解決方案，雙方將在乘用車激光雷達系統(tǒng)集成解決方案、在復雜天氣和工況下激光雷達的車規(guī)級可靠性和功能安全的測試評價體系、以及基于車規(guī)標準的高度自動化制造測試體系展開一系列的合作。

 

近日，深圳市工業(yè)和信息化局公示關于2021年企業(yè)技術改造扶持計劃第二批擬資助技術改造投資項目。其中，不少集成電路、半導體等項目在列。具體來看，包括深圳力邁電子有限公司的半導體功率器件智能化生產(chǎn)線技術改造項目、深圳米飛泰克科技有限公司的集成電路封測生產(chǎn)線（二期）建設、深圳市星漢激光科技股份有限公司的高功率半導體激光器COS及器件自動化封裝產(chǎn)線技術改造、深圳市金譽半導體股份有限公司的集成電路封裝測試生產(chǎn)線提升項目、深圳深愛半導體股份有限公司的半導體功率器件生產(chǎn)線升級改造等。

 

近期，中國科學技術大學郭光燦院士團隊在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要進展。中國科大消息顯示，該團隊李傳鋒、許金時等人與匈牙利魏格納物理研究中心Adam Gali教授合作，在國際上首次實現(xiàn)了單個碳化硅雙空位色心電子自旋在室溫環(huán)境下的高對比度讀出和相干操控。該成果對發(fā)展基于碳化硅這種成熟半導體材料的量子信息技術具有重要意義。

 

據(jù)介紹，李傳鋒、許金時研究組利用之前所發(fā)展的離子注入制備碳化硅缺陷色心的技術[ACS Photonics 6, 1736-1743 (2019); PRL 124, 223601(2020)]制備了雙空位色心陣列。進一步利用光探測磁共振技術在室溫下實現(xiàn)單個雙空位色心的自旋相干操控，并發(fā)現(xiàn)其中一類雙空位色心（稱為PL6）的自旋讀出對比度為30%，而且單光子發(fā)光亮度每秒可達150k個計數(shù)。

 

這兩項重要指標相比碳化硅中硅空位色心均提升了一個數(shù)量級，第一次展現(xiàn)了碳化硅自旋色心在室溫下具有與金剛石NV色心相媲美的優(yōu)良性質，并且單色心電子自旋在室溫下的相干時間長達23微秒。此外，研究團隊還實現(xiàn)了碳化硅色心中單個電子自旋與近鄰核自旋的耦合與探測，為下一步構建基于碳化硅自旋色心體系的室溫固態(tài)量子存儲與可擴展的固態(tài)量子網(wǎng)絡奠定基礎。由于高讀出對比度和高單光子發(fā)光亮度在量子信息的許多應用中至關重要，該成果為基于碳化硅的量子器件開辟了一個新的發(fā)展方向。