近日,由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)主辦,南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2020)暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2020)在深圳會(huì)展中心召開(kāi)。

期間,由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司,中電化合物半導(dǎo)體有限公司,英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)上,浙江大學(xué)特聘副研究員任娜帶來(lái)了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問(wèn)題的研究,分享了近期研究成果介紹,并分享了具體的SiC器件可靠性提升方法。

當(dāng)前國(guó)際上650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3,隨著技術(shù)的發(fā)展,元胞寬度持續(xù)減小,比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低,器件性能超越Si器件,可靠性問(wèn)題有待進(jìn)一步改善。
我國(guó)SiC器件發(fā)展來(lái)看,現(xiàn)階段水平,芯片實(shí)現(xiàn)4英寸小批量量產(chǎn),采用平面柵結(jié)構(gòu)技術(shù)路線,工藝技術(shù)和器件性能相當(dāng)于國(guó)際上一代(Gen 2)的水平。未來(lái)發(fā)展方向:急需攻關(guān)6英寸SiC材料生長(zhǎng)技術(shù)以及6英寸晶圓量產(chǎn),溝槽柵工藝和先進(jìn)柵氧工藝技術(shù),并全面提升器件的可靠性。

SiC MOSFET器件目前仍然存在一系列可靠性問(wèn)題,比如閾值電壓漂移現(xiàn)象,短路承受時(shí)間較短,雪崩耐量較低,浪涌電流承受能力較差等。

器件技術(shù)迭代發(fā)展,器件可靠性提升方法,涉及結(jié)構(gòu)優(yōu)化、工藝改進(jìn)、散熱優(yōu)化等三要素。

(內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理,如有出入敬請(qǐng)諒解)