6月16日晚間，三安光電(600703)發(fā)布公告稱，公司擬在長沙高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司，投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產業(yè)化項目，投資總額160億元。公司表示，將在兩年內完成一期項目建設并實現投產，四年內完成二期項目建設并實現投產，六年內實現達產。
據介紹，三安光電第三代半導體產業(yè)園項目用地面積約1000畝，將包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業(yè)鏈，研發(fā)、生產及銷售6寸SIC導電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
公開資料顯示，三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產與銷售。公司致力于化合物半導體集成電路業(yè)務的發(fā)展，努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。
全資控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，是國內化合物半導體代工龍頭，業(yè)務涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領域，已取得國內重要客戶的合格供應商認證，各個板塊已全面開展合作。2019年三安集成實現營業(yè)收入2.41億元，同比增長40.67%；2020第一季度實現收入1.66億元。
2017年底時，三安光電曾宣布大手筆投資333億元建設“泉州芯谷”南安園區(qū)三安高端半導體項目。主要包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產業(yè)化項目，高端砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產業(yè)化項目，大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產業(yè)化項目的光芒，用于擴大高端化合物半導體產能。
根據當時的項目預計，三安光電稱全部項目5年內實現投產，7年內全部項目實現達產。業(yè)內預計，333億元投資達產后年營收約270億元，是當前三安光電營收的3倍。泉州南安項目也被稱為“再造一個三安光電”。
另外，三安光電還與華芯投資管理有限責任公司(大基金的唯一管理機構)、國家開發(fā)銀行、福建三安集團有限公司約定四方建立戰(zhàn)略合作關系，大力支持公司發(fā)展以Ⅲ-V族化合物半導體為重點的集成電路業(yè)務。不過，大基金擬在未來6個月內減持不超過公司股份總數2%的股票。
數據顯示，大基金一期持有三安光電股份(9.660, 0.25, 2.66%)4.61億股，約占公司總股本的11.30%。三安光電6月12日公告稱，大基金一期計劃公告日起15個交易日后的6個月內，減持股份數量不超過公司股份總數2%，即8157萬股。以三安光電6月16日收盤價23.6元算，大基金一期套現總金額最高可達18.43億元。
